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1. (WO2013061649) DISPOSITIF DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/061649    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/065482
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 18.06.2012
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (Tous Sauf US).
OKADA, Toshinori; (US Seulement)
Inventeurs : OKADA, Toshinori;
Mandataire : Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-234817 26.10.2011 JP
Titre (EN) VAPOR DEPOSITION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
(JA) 気相成長装置
Abrégé : front page image
(EN)This vapor deposition device is equipped with: a film formation chamber (1); a gas supply section (20) for supplying a source gas for forming a film into the film formation chamber (1); and a heater (6) for heating substrates to be treated (3) inside the film formation chamber (1). In addition, the vapor deposition device is equipped with: a rotatable susceptor (4) on which the substrates to be treated (3) are mounted inside the film formation chamber (1); a support section (11) for supporting the rim of the susceptor (4) from below via a heat-insulating member (12); and a rotary shaft (5) for transmitting a rotational force to the susceptor (4). The rotary shaft (5) has a protruding section on the susceptor (4) side end at a position decentered from the central axis of the rotary shaft (5). The susceptor (4) has on the bottom surface a recessed section for loosely fitting the protruding section therein.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de dépôt en phase vapeur équipé : d'une chambre de formation de film (1) ; d'une section d'amenée de gaz (20) destinée à amener un gaz source destiné à former un film dans la chambre de formation de film (1) ; et d'un dispositif de chauffage (6) destiné à chauffer des substrats à traiter (3) à l'intérieur de la chambre de formation de film (1). En plus, le dispositif de dépôt en phase vapeur est équipé : d'un suscepteur rotatif (4) sur lequel les substrats à traiter (3) sont montés à l'intérieur de la chambre de formation de film (1) ; d'une section de support (11) destinée à porter le rebord du suscepteur (4) depuis le dessous par le biais d'un élément calorifuge (12) ; et d'un arbre rotatif (5) destiné à transmettre une force de rotation au suscepteur (4). L'arbre rotatif (5) présente une section en saillie sur l'extrémité latérale du suscepteur (4) dans une position décentrée par rapport à l'axe central de l'arbre rotatif (5). Le suscepteur (4) présente, sur la surface inférieure, une section évidée dans laquelle la section en saillie sera montée avec du jeu.
(JA) 成膜室(1)と、成膜室(1)内に成膜用の原料ガスを供給するガス供給部(20)と、成膜室(1)内において被処理基板(3)を加熱するヒータ(6)とを備える。また、成膜室(1)内において被処理基板(3)が載置される回転可能なサセプタ(4)と、サセプタ(4)の縁を下方から断熱部材(12)を介して支持する支持部(11)と、サセプタ(4)に回転力を伝達する回転軸(5)とを備える。回転軸(5)は、サセプタ(4)側の端部において、この回転軸(5)の中心軸から偏心した位置に突起部を有する。サセプタ(4)は、突起部が遊挿される凹部を下面に有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)