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1. (WO2013061572) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM, DISPOSITIF DE TRAITEMENT SOUS VIDE, ÉLÉMENT LUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET DISPOSITIF D'ÉCLAIRAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/061572    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/006769
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 23.10.2012
CIB :
H01L 21/203 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C30B 23/08 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 33/28 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP)
Inventeurs : DAIGO, Yoshiaki; (JP)
Mandataire : OKABE, Yuzuru; No.602, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-236689 28.10.2011 JP
Titre (EN) FILM FORMATION METHOD, VACUUM TREATMENT DEVICE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND ILLUMINATION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM, DISPOSITIF DE TRAITEMENT SOUS VIDE, ÉLÉMENT LUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET DISPOSITIF D'ÉCLAIRAGE
(JA) 成膜方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a film formation method making it possible to prepare an epitaxial film of +c polarity by sputtering, and a vacuum treatment device adapted to the film formation method, and further provides a method for producing a semiconductor light-emitting element using the epitaxial film, as well as a semiconductor light-emitting element and an illumination device produced by this production method. One embodiment of the present invention is a film formation method for epitaxially growing a semiconductor film having a wurtzite structure by sputtering on an epitaxial growth substrate heated to a desired temperature using a heater, wherein the film formation method includes the following steps. Firstly, the substrate is arranged on a substrate holder having the heater, so that the substrate is arranged separated from the heater by a predetermined distance. Next, an epitaxial film of the semiconductor film having a wurtzite structure is formed upon the substrate in the state where the substrate has been arranged separated from the heater by the predetermined distance.
(FR)L'invention fournit un procédé de formation de film permettant de produire un film épitaxial de polarité +c selon une technique de pulvérisation, et un dispositif de traitement sous vide adapté à ce procédé de formation de film. L'invention fournit, en outre, un procédé de fabrication d'élément luminescent semi-conducteur mettant en œuvre ce film épitaxial ainsi qu'un élément luminescent semi-conducteur fabriqué selon ce procédé de fabrication, et un dispositif d'éclairage. Selon un mode de réalisation de l'invention, le procédé de formation de film selon lequel un film semi-conducteur possédant une structure wurtzite est soumis à une croissance épitaxiale à l'aide d'une technique de pulvérisation sur un substrat pour croissance épitaxiale chauffé à une température arbitraire par un chauffage, comporte l'étape suivante. Tout d'abord, ledit substrat est disposé sur un support de substrat possédant un chauffage, de sorte à être éloigné d'une distance prédéfinie du chauffage. Puis, dans un état dans lequel ledit substrat est disposé de manière éloignée d'une distance prédéfinie du chauffage, le film épitaxial du film semi-conducteur possédant une structure wurtzite, est formé sur ledit substrat.
(JA) 本発明は、+c極性のエピタキシャル膜をスパッタリング法により作製することが可能な成膜方法、及びこの成膜方法に適した真空処理装置を提供すること、さらに、このエピタキシャル膜を用いた半導体発光素子の製造方法、ならびにこの製造方法により製造した半導体発光素子および照明装置を提供する。本発明の一実施形態は、ヒーターを用いて任意の温度に加熱されたエピタキシャル成長用基板に対して、スパッタリング法によって、ウルツ鉱構造を有する半導体膜をエピタキシャル成長させる成膜方法において以下の工程を有する。まずは、上記基板がヒーターと所定の距離だけ離れて配置されるように、上記基板を、ヒーターを有する基板ホルダーに配置する。次いで、上記基板を、ヒーターと所定の距離だけ離れて配置した状態で、上記基板上にウルツ鉱構造を有する半導体膜のエピタキシャル膜を形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)