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N° de publication : WO/2013/061417 N° de la demande internationale : PCT/JP2011/074643
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 26.10.2011
CIB :
G01B 11/06 (2006.01) ,G01B 9/02 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
B
MESURE DE LA LONGUEUR, DE L'ÉPAISSEUR OU DE DIMENSIONS LINÉAIRES ANALOGUES; MESURE DES ANGLES; MESURE DES SUPERFICIES; MESURE DES IRRÉGULARITÉS DES SURFACES OU CONTOURS
11
Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de moyens optiques
02
pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur
06
pour mesurer l'épaisseur
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
B
MESURE DE LA LONGUEUR, DE L'ÉPAISSEUR OU DE DIMENSIONS LINÉAIRES ANALOGUES; MESURE DES ANGLES; MESURE DES SUPERFICIES; MESURE DES IRRÉGULARITÉS DES SURFACES OU CONTOURS
9
Instruments tels que spécifiés dans les sous-groupes et caractérisés par l'utilisation de moyens de mesure optiques
02
Interféromètres
Déposants : HATTORI Ryo; JP (UsOnly)
HAMANO Kenichi; JP (UsOnly)
Mitsubishi Electric Corporation[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : HATTORI Ryo; JP
HAMANO Kenichi; JP
Mandataire : YOSHITAKE Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FILM THICKNESS MEASUREMENT METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE DE L'ÉPAISSEUR D'UN FILM
(JA) 膜厚測定方法
Abrégé :
(EN) The present invention pertains to a film thickness measurement method for a multi-layer epitaxial layer formed on a semiconductor substrate. A measurement subject (20) resulting from a first and second epitaxial layer (22, 23) having no refractive index difference in the real part compared to the semiconductor substrate having been laminated in the given order is subjected to beam interference analysis reflection analysis using a Fourier transform infrared spectroscopy photometer, and in a manner so that there is no deviation between the interference waveform containing distortion appearing in the frequency region in the vicinity of an abnormal dispersion region of the refractive index resulting from phonon absorption in the obtained reflection interference pattern and the interference waveform in the same frequency region as a numerically calculated reflection interference pattern, using the thickness of the first epitaxial layer as a fitting parameter, the thickness of the first epitaxial layer set when fitting the numerically calculated reflection interference pattern is considered the actual measured value for the thickness of the first epitaxial layer.
(FR) La présente invention concerne un procédé de mesure de l'épaisseur d'un film d'une couche épitaxiale multicouche formée sur un substrat semi-conducteur. La structure (20) à mesurer est formée d'une première et d'une seconde couche épitaxiale (22, 23) stratifiées dans un ordre donné, les indices de réfraction de ces couches et du substrat semi-conducteur étant identiques dans la partie réelle. La structure à mesurer est soumise à une analyse de réflexion par l'analyse d'interférence de faisceau au moyen d'un photomètre de spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier. Sur la base de l'observation d'aucune déviation entre la forme d'onde d'interférence contenant une déformation apparaissant dans la région de fréquence au voisinage d'une région de dispersion anormale de l'indice de réfraction résultant d'une absorption de phonons sur le profil d'interférence de réflexion obtenu et la forme d'onde d'interférence dans la même région de fréquence en tant que profil d'interférence de réflexion numériquement calculé, et en utilisant l'épaisseur de la première couche épitaxiale comme paramètre d'ajustement, on considère que l'épaisseur de la première couche épitaxiale fixée lors de l'ajustement du profil d'interférence de réflexion numériquement calculé est la valeur mesurée réelle de l'épaisseur de la première couche épitaxiale.
(JA)  本発明は、半導体基板上に形成した多層のエピタキシャル層の膜厚測定方法に関し、半導体基板(21)上に、該半導体基板と実部の屈折率差がない第1および第2のエピタキシャル層(22,23)がこの順に積層された測定対象(20)に対して、フーリエ変換赤外分光光度計を用いた反射干渉解析反射解析を行い、得られた反射干渉パターンにおける、フォノン吸収による屈折率の異常分散領域近傍の波数領域に現れる歪みを含んだ干渉波形と、数値計算反射干渉パターンの同じ波数領域での干渉波形とがずれないように、第1のエピタキシャル層の厚さをフィッティングパラメータとして使用し、数値計算反射干渉パターンをフィッティングした際に設定した第1のエピタキシャル層の厚みをもって、第1のエピタキシャル層の厚みの実測値とする。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)