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1. (WO2013061051) GÉNÉRATION DE RAYONS X
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/061051    N° de la demande internationale :    PCT/GB2012/052632
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 24.10.2012
CIB :
H05G 2/00 (2006.01), H05H 7/12 (2006.01)
Déposants : ISIS INNOVATION LIMITED [GB/GB]; Ewert House Ewert Place Summertown Oxford Oxfordshire OX2 7SG (GB)
Inventeurs : SERYI, Andrei; (GB)
Mandataire : RAMSAY, Laura Anne; St Bride's House 10 Salisbury Square London EC4Y 8JD (GB)
Données relatives à la priorité :
1118556.8 27.10.2011 GB
Titre (EN) X-RAY GENERATION
(FR) GÉNÉRATION DE RAYONS X
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus for generating x-rays comprises an electron beam generator and a first device (4) arranged to apply an RF electric field to accelerate the electron beam from the generator. A photon source is arranged to provide photons to a zone (26) to interact with the electron beam from the first device so as to generate x-rays via inverse-Compton scattering. A second device (8) is arranged to apply an RF electric field to decelerate the electron beam after it has interacted. The first and second devices (4, 8) are connected by RF energy transmission means (18) arranged to recover RF energy from the decelerated electron beam as it passes through the second device (8) and transfer the recovered RF energy into the first device (4).
(FR)La présente invention porte sur un appareil pour génération de rayons X qui comprend un générateur de faisceau d'électrons et un premier dispositif (4) agencé pour appliquer un champ électrique radiofréquence (RF) pour accélérer le faisceau d'électrons provenant du générateur. Une source de photons est agencée pour fournir des photons à une zone (26) pour entrer en interaction avec le faisceau d'électrons provenant du premier dispositif de manière à générer des rayons X par l'intermédiaire d'une diffusion Compton inverse. Un second dispositif (8) est agencé pour appliquer un champ électrique RF pour décélérer le faisceau d'électrons après l'interaction. Les premier et second dispositifs (4, 8) sont reliés par un moyen d'émission d'énergie RF (18) agencé pour récupérer une énergie RF du faisceau d'électrons décéléré à mesure qu'il passe à travers le second dispositif (8) et transférer l'énergie RF récupérée dans le premier dispositif (4).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)