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1. (WO2013060550) PROCÉDÉ DE SECTIONNEMENT D'UN COMPOSITE DE COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/060550 N° de la demande internationale : PCT/EP2012/069129
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 27.09.2012
CIB :
B23K 26/38 (2006.01) ,B23K 26/40 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01) ,B23K 26/36 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26
Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage, perçage
36
Enlèvement de matière
38
par perçage ou découpage
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26
Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage, perçage
36
Enlèvement de matière
40
tenant compte des propriétés de la matière à enlever
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
38
ayant une forme particulière
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26
Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage, perçage
36
Enlèvement de matière
Déposants : WEISS, Guido[DE/DE]; DE (US)
PERCHTALER, Albert[DE/DE]; DE (US)
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE (AllExceptUS)
Inventeurs : WEISS, Guido; DE
PERCHTALER, Albert; DE
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schlossschmidstr. 5 80639 Munich, DE
Données relatives à la priorité :
10 2011 054 891.228.10.2011DE
Titre (EN) METHOD FOR SEVERING A SEMICONDUCTOR COMPONENT ASSEMBLAGE
(FR) PROCÉDÉ DE SECTIONNEMENT D'UN COMPOSITE DE COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR
(DE) VERFAHREN ZUM DURCHTRENNEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTVERBUNDS
Abrégé :
(EN) A description is given of a method for severing a semiconductor component assemblage (1) comprising a carrier (5) having a main face (50) and a semiconductor layer sequence (2) arranged on the main face. By means of a first laser cut, a separating trench (4) is formed in the semiconductor component assemblage (1), wherein the separating trench (4) only partly severs the semiconductor component assemblage (1) in a vertical direction running perpendicularly to the main face (50). The semiconductor component assemblage (1) is completely severed along the separating trench (4) with a severing cut by means of a laser.
(FR) L'invention concerne un procédé de sectionnement d'un composite de composant à semi-conducteur (1), comportant un support (5) doté d'une surface principale (50) et d'une succession de couches semi-conductrices (2) disposées sur la surface principale. Une tranchée de séparation (4) est pratiquée dans le composite de composant à semi-conducteur (1) au moyen d'une première découpe au laser, la tranchée de séparation (4) ne sectionnant qu'en partie le composite de composant semi-conducteur (1) dans une direction verticale s'étendant perpendiculairement à la surface principale (50). Le composite de composant à semi-conducteur (1) est entièrement sectionné le long de la tranchée de séparation (4) au moyen d'un laser pratiquant une coupe de sectionnement.
(DE) Es wird ein Verfahren zum Durchtrennen eines Halbleiterbauelementverbunds (1), der einen Träger (5) mit einer Hauptfläche (50) und eine auf der Hauptfläche angeordnete Halbleiterschichtenfolge (2) aufweist. Mittels eines ersten Laserschnitts wird ein Trenngraben (4) in dem Halbleiterbauelementverbund (1) ausgebildet, wobei der Trenngraben (4) den Halbleiterbauelementverbund (1) in einer senkrecht zur Hauptfläche (50) verlaufenden vertikalen Richtung nur teilweise durchtrennt. Der Halbleiterbauelementverbund (1) wird entlang des Trenngrabens (4) mittels eines Lasers mit einem Durchtrennungsschnitt vollständig durchtrennt.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)