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1. (WO2013060533) LASER À SEMI-CONDUCTEURS À ÉMISSION SURFACIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/060533    N° de la demande internationale :    PCT/EP2012/068478
Date de publication : 02.05.2013 Date de dépôt international : 20.09.2012
CIB :
H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/30 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
SCHWARZ, Hans-Jochen [DE/DE]; (DE) (US only)
Inventeurs : SCHWARZ, Hans-Jochen; (DE)
Représentant
commun :
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2011 085 077.5 24.10.2011 DE
Titre (DE) OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER
(EN) SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEURS À ÉMISSION SURFACIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser (100) mit einem optischen Resonator (110), wobei der optische Resonator (110) mindestens einen ersten, als distributed Bragg reflector, DBR, ausgebildeten, Spiegel (120) aufweist, der einen Schichtaufbau mit einer Mehrzahl von Spiegelschichten (122a,.., 122h) umfasst, wobei zueinander benachbarte Spiegelschichten (122a,.., 122h) entlang einer Schichtdickenkoordinate (x) des Schichtaufbaus abwechselnd als Hochindexmaterial mit einem ersten Wert eines Realteils (n_re_h) des Brechungsindex und als Niedrigindexmaterial mit einem zweiten Wert eines Realteils (n_re_l) des Brechungsindex, der kleiner ist als der erste Wert, ausgebildet sind, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei als Hochindexmaterial und/oder als Niedrigindexmaterial ausgebildete Spiegelschichten des ersten Spiegels (120) jeweils einen unterschiedlichen Absorptionskoeffizienten und/oder eine unterschiedliche Dotierstoffkonzentration und/oder eine unterschiedliche Materialzusammensetzung der Spiegelschicht aufweisen.
(EN)The invention relates to a surface-emitting semiconductor laser (100), comprising an optical resonator (110), wherein the optical resonator (110) has at least one first mirror (12) designed as a distributed Bragg reflector, DBR, which mirror comprises a layer structure having a plurality of reflective layers (122a, ..., 122h). Along a layer thickness coordinate (x) of the layer structure, reflective layers (122a, ..., 122h) adjacent to one another are alternately designed as a high-index material having a first value of a real part (n_re_h) of the refractive index and as a low-index material having a second value of a real part (n_re_l) of the refractive index that is less than the first value. The surface-emitting semiconductor laser is characterized in that at least two reflective layers of the first mirror (120) designed as a high-index material and/or as a low-index material have a different absorption coefficient and/or a different dopant concentration and/or a different material composition of the reflective layer.
(FR)L'invention concerne un laser à semi-conducteurs (100) à émission surfacique, comprenant un résonateur optique (110), ledit résonateur optique (110) présentant au moins un premier miroir (120) qui est conçu comme un réflecteur de Bragg distribué (DBR) et qui présente une structure en couches dotée d'une pluralité de couches miroir (122a,.., 122h), des couches miroir (122a,.., 122h) adjacentes étant formées le long d'une coordonnée épaisseur de couche (x) de la structure en couches alternativement en tant que matériau à fort indice ayant une première valeur d'une partie réelle (n_re_h) de l'indice de réfraction et en tant que matériau à faible indice ayant une deuxième valeur réelle d'une partie réelle (n_re_l) de l'indice de réfraction, qui est inférieure à la première valeur ; caractérisé en ce qu'au moins deux couches miroir du premier miroir (120), lesdites couches miroir étant conçues comme matériau à fort indice et/ou comme matériau à faible indice, présentent respectivement un coefficient d'absorption différent et/ou une concentration de dopant différente et/ou une composition de matériau différente de la couche miroir.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)