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1. (WO2013059126) SOURCE PLASMA DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS AVEC DÉCHARGE DE FAISCEAU SEGMENTÉE POUR GÉNÉRATION DE PLASMA UNIFORME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/059126    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/060265
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 15.10.2012
CIB :
H05H 1/34 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
DORF, Leonid [RU/US]; (US) (US only).
RAUF, Shahid [US/US]; (US) (US only).
COLLINS, Kenneth S. [US/US]; (US) (US only).
MISRA, Nipun [IN/US]; (US) (US only).
CARDUCCI, James D. [US/US]; (US) (US only).
LERAY, Gary [FR/US]; (US) (US only).
RAMASWAMY, Kartik [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : DORF, Leonid; (US).
RAUF, Shahid; (US).
COLLINS, Kenneth S.; (US).
MISRA, Nipun; (US).
CARDUCCI, James D.; (US).
LERAY, Gary; (US).
RAMASWAMY, Kartik; (US)
Mandataire : WALLACE, Robert, M.; Law Office of Robert M. Wallace 2112 Eastman Avenue, Suite 102 Ventura, CA 93003 (US)
Données relatives à la priorité :
61/549,349 20.10.2011 US
13/595,292 27.08.2012 US
Titre (EN) ELECTRON BEAM PLASMA SOURCE WITH SEGMENTED BEAM DUMP FOR UNIFORM PLASMA GENERATION
(FR) SOURCE PLASMA DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS AVEC DÉCHARGE DE FAISCEAU SEGMENTÉE POUR GÉNÉRATION DE PLASMA UNIFORME
Abrégé : front page image
(EN)A plasma reactor that generates plasma in a workpiece processing chamber by an electron beam, has an electron beam source and segmented beam dump that is profiled to promote uniformity in the electron beam-produced plasma.
(FR)Selon la présente invention, un réacteur plasma qui génère un plasma dans une chambre de traitement de pièce de travail par un faisceau d'électrons, a une source de faisceau d'électrons et une décharge de faisceau segmentée qui est profilée pour favoriser l'uniformité dans le plasma produit par faisceau d'électrons.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)