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1. (WO2013059101) SOURCE PLASMA DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS À PAROI DE CHAMBRE PROFILÉE POUR GÉNÉRATION DE PLASMA UNIFORME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/059101 N° de la demande internationale : PCT/US2012/060088
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 12.10.2012
CIB :
H05H 1/24 (2006.01) ,H05H 1/34 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : BERA, Kallol[US/US]; US (US)
COLLINS, Kenneth S.[US/US]; US (US)
RAUF, Shahid[US/US]; US (US)
DORF, Leonid[RU/US]; US (US)
APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US (AllExceptUS)
Inventeurs : BERA, Kallol; US
COLLINS, Kenneth S.; US
RAUF, Shahid; US
DORF, Leonid; US
Mandataire : WALLACE, Robert M.; Law Office of Robert M. Wallace 2112 Eastman Avenue, Suite 102 Ventura, CA 93003, US
Données relatives à la priorité :
13/595,35127.08.2012US
61/549,35520.10.2011US
Titre (EN) ELECTRON BEAM PLASMA SOURCE WITH PROFILED CHAMBER WALL FOR UNIFORM PLASMA GENERATION
(FR) SOURCE PLASMA DE FAISCEAU D'ÉLECTRONS À PAROI DE CHAMBRE PROFILÉE POUR GÉNÉRATION DE PLASMA UNIFORME
Abrégé : front page image
(EN) A plasma reactor that generates plasma in a workpiece processing chamber by an electron beam, has an electron beam source chamber with a wall opposite to the electron beam propagation direction, the wall being profiled to compensate for a non-uniformity in electron beam density distribution.
(FR) Selon la présente invention, un réacteur plasma qui génère un plasma dans une chambre de traitement de pièce de travail par un faisceau d'électrons, a une chambre de source de faisceau d'électrons ayant une paroi opposée à la direction de propagation de faisceau d'électrons, la paroi étant profilée pour compenser une non-uniformité dans la distribution de densité du faisceau d'électrons.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)