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1. (WO2013059094) SOURCE DE PLASMA À FAISCEAU D'ÉLECTRONS COMPRENANT DES SOURCES DE PLASMA EN RÉSEAU POUR UNE PRODUCTION DE PLASMA UNIFORME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/059094    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/060031
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 12.10.2012
CIB :
H05H 1/24 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
DORF, Leonid [RU/US]; (US) (US only).
RAUF, Shahid [US/US]; (US) (US only).
COLLINS, Kenneth S. [US/US]; (US) (US only).
MISRA, Nipun [IN/US]; (US) (US only).
CARDUCCI, James D. [US/US]; (US) (US only).
LERAY, Gary [FR/US]; (US) (US only).
RAMASWAMY, Kartik [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : DORF, Leonid; (US).
RAUF, Shahid; (US).
COLLINS, Kenneth S.; (US).
MISRA, Nipun; (US).
CARDUCCI, James D.; (US).
LERAY, Gary; (US).
RAMASWAMY, Kartik; (US)
Mandataire : WALLACE, Robert M.; Law Office of Robert M. Wallace 2112 Eastman Avenue, Suite 102 Ventura, CA 93003 (US)
Données relatives à la priorité :
61/549,340 20.10.2011 US
13/595,201 27.08.2012 US
Titre (EN) ELECTRON BEAM PLASMA SOURCE WITH ARRAYED PLASMA SOURCES FOR UNIFORM PLASMA GENERATION
(FR) SOURCE DE PLASMA À FAISCEAU D'ÉLECTRONS COMPRENANT DES SOURCES DE PLASMA EN RÉSEAU POUR UNE PRODUCTION DE PLASMA UNIFORME
Abrégé : front page image
(EN)A plasma reactor that generates plasma in a workpiece processing chamber by an electron beam, has an electron beam source chamber and an array of plasma sources facing the electron beam source chamber for affecting plasma electron density in different portions of the processing chamber. In another embodiment, an array of separately controlled electron beam source chambers is provided.
(FR)Selon l'invention, un réacteur à plasma qui produit du plasma dans une chambre de traitement de pièce, par un faisceau d'électrons, présente une chambre source de faisceaux d'électrons et un réseau de sources de plasma qui fait face à la chambre source de faisceaux d'électrons afin d'agir sur la densité d'électrons du plasma dans différentes parties de la chambre de traitement. Dans un autre mode de réalisation, l'invention a trait à un réseau de chambres sources de faisceaux d'électrons commandées séparément.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)