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1. (WO2013059047) STABILISATION DE MÉMOIRE RÉSISTIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/059047    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/059543
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 10.10.2012
CIB :
G11C 13/00 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, Idaho 83716-9632 (US).
CHEN, Xiaonan [CN/US]; (US)
Inventeurs : CHEN, Xiaonan; (US)
Mandataire : BERGER, Mark R.; Brooks, Cameron & Huebsch, PLLC. 1221 Nicollet Ave., Suite 500 Minneapolis, Minnesota 55403 (US)
Données relatives à la priorité :
13/275,901 18.10.2011 US
Titre (EN) STABILIZATION OF RESISTIVE MEMORY
(FR) STABILISATION DE MÉMOIRE RÉSISTIVE
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure includes apparatuses and methods including stabilization of resistive memory. A number of embodiments include applying a programming signal to a resistive memory cell, wherein the programming signal includes a first portion having a first polarity and a second portion having a second polarity, wherein the second polarity is opposite the first polarity.
(FR)La présente invention comprend des appareils et des procédés comprenant une stabilisation de mémoire résistive. Un nombre de modes de réalisation comprennent l'application d'un signal de programmation à une cellule de mémoire résistive, le signal de programmation comprenant une première partie ayant une première polarité et une seconde partie ayant une seconde polarité, la seconde polarité étant opposée à la première polarité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)