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1. (WO2013058715) PHOTODIODE À AVALANCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/058715    N° de la demande internationale :    PCT/SG2012/000394
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 19.10.2012
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.08.2013    
CIB :
H01L 31/107 (2006.01)
Déposants : AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH [SG/SG]; 1 Fusionopolis Way #20-10 Connexis Singapore 138632 (SG)
Inventeurs : CHIA, Ching Kean; (SG)
Mandataire : SPRUSON & FERGUSON (ASIA) PTE. LTD.; P.O. Box 1531 Robinson Road Post Office Singapore 903031 (SG)
Données relatives à la priorité :
201107712-0 20.10.2011 SG
Titre (EN) AVALANCHE PHOTODIODE
(FR) PHOTODIODE À AVALANCHE
Abrégé : front page image
(EN)According to one aspect, there is provided an avalanche photodiode comprising a first semiconductor layer that absorbs photons of a first wavelength range and having a first energy bandgap; a second semiconductor layer that absorbs photons of a second wavelength range and having a second energy bandgap, the second energy bandgap being different from the first energy bandgap; and a control layer between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, the control layer having a third energy bandgap engineered to suppress carriers created from dark current.
(FR)L'invention concerne une photodiode à avalanche comprenant une première couche semiconductrice qui absorbe des photons sur une première plage de longueurs d'onde et qui possède une première bande interdite ; une deuxième couche semiconductrice qui absorbe des photons sur une deuxième plage de longueurs d'onde et qui possède une deuxième bande interdite, la deuxième bande interdite étant différente de la première bande interdite ; et une couche de commande placée entre la première couche semiconductrice et la deuxième couche semiconductrice, la couche de commande ayant une troisième bande interdite conçue pour éliminer les porteurs créés par le courant d'obscurité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)