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1. (WO2013058465) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONTACT DESTINÉ À TESTER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/058465    N° de la demande internationale :    PCT/KR2012/004979
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 25.06.2012
CIB :
G01R 1/067 (2006.01), G01R 31/26 (2006.01)
Déposants : SILICONEVALLEY CO., LTD [KR/KR]; Eung Myung-dong 34, Gongdan4-road, Gim Cheon-si, Gyeongsangbuk-do 740-180 (KR) (Tous Sauf US).
YOUN, Kyoungseob [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : YOUN, Kyoungseob; (KR)
Mandataire : PARK, Hae-Bong; #201 Taeyun Building 13-4, Beomeo3-dong, Suseong-gu Daegu 706-816 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2011-0106832 19.10.2011 KR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING A CONTACT FOR TESTING A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONTACT DESTINÉ À TESTER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(KO) 반도체소자 테스트용 콘텍트 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a contact for a test socket in which conductor portions are formed so as to be arranged at certain intervals on a dielectric plate used for testing whether a semiconductor device is normal by contacting a read terminal of the semiconductor device, and more particularly, to a method for manufacturing a contact for testing a semiconductor device, wherein the contact is repeatedly adhered and stacked alternately with a dielectric layer and a conductor layer, one side of the stack is cut, then the stack and a dielectric layer are again subjected to repeated alternating adhering and stacking, after which the front surface of the stack is cut to yield a finished product of a new type of contact. Thus, the pitch of a conductor portion can be determined according to the thickness at which layers are formed and the cut width in the manufacturing process, so that a desired pitch of the conductor portion can be achieved.
(FR)La présente invention concerne un contact destiné à un support d'analyse, des parties conductrices étant formées de sorte à se trouver agencées à certains intervalles sur une plaque diélectrique utilisée pour tester un dispositif à semi-conducteurs dans le but de savoir s'il est normal par mise en contact avec une borne de lecture du dispositif à semi-conducteurs. L'invention concerne plus particulièrement un procédé de fabrication d'un contact destiné à tester un dispositif à semi-conducteurs, le contact étant adhéré de manière répétée et empilé alternativement avec une couche diélectrique et une couche conductrice, un côté de l'empilement étant coupé, puis l'empilement et une couche diélectrique étant de nouveau soumis à une adhérence et à un empilement alternés répétés, après quoi la surface avant de l'empilement étant coupée pour donner un produit fini présentant un nouveau type de contact. Ainsi, on peut déterminer le pas d'une partie conductrice en fonction de l'épaisseur selon laquelle les couches sont formées et de la largeur de coupe du procédé de fabrication, de sorte que l'on peut obtenir un pas souhaité de la partie conductrice.
(KO)본 발명은 반도체소자의 리드단자를 접촉시켜 반도체소자에 대한 정상 여부를 검사하기 위해 사용되는 절연체판에 도전체부가 일정간격 배열형성된 테스트 소켓용 콘텍트에 관한 것으로, 이를 더 상세하게 설명하면, 상기 콘텍트를 절연체층과 도전체층을 연속 반복하여 접합 적층하고, 이 적층물의 일면을 절단한 후, 상기 적층물과 절연체층을 다시 연속 반복하여 접합 적층한 다음, 이 적층물의 전면을 절단하여서 완성물을 얻는 새로운 타입의 콘텍트를 제조방법을 제공함으로써, 상기 제조과정에서 층을 형성하는 두께와, 절단 폭에 따라 도전체부의 피치 간격을 결정할 수 있어 도전체부의 피치 간격을 달성할 수 있는 반도체소자 테스트용 콘텍트 제조방법을 제공한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)