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1. WO2013058385 - MASQUE À DÉPHASAGE DE GRANDE TAILLE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MASQUE À DÉPHASAGE DE GRANDE TAILLE

Numéro de publication WO/2013/058385
Date de publication 25.04.2013
N° de la demande internationale PCT/JP2012/077157
Date du dépôt international 19.10.2012
CIB
G03F 1/26 2012.1
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
26Masques à décalage de phase ; Substrats pour PSM; Leur préparation
G03F 1/46 2012.1
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
38Masques à caractéristiques supplémentaires, p.ex. marquages pour l'alignement ou les tests, ou couches particulières; Leur préparation
46Couches antiréfléchissantes
CPC
G03F 1/26
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
G03F 1/32
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
32Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion,; Preparation thereof
Déposants
  • 大日本印刷株式会社 DAI NIPPON PRINTING CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 木下 一樹 KINOSHITA, Kazuki
  • 飛田 敦 TOBITA, Atsushi
  • 二嶋 悟 NISHIMA, Satoru
Mandataires
  • 山下 昭彦 YAMASHITA, Akihiko
Données relatives à la priorité
2011-23152921.10.2011JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LARGE-SIZED PHASE-SHIFT MASK, AND METHOD FOR PRODUCING LARGE-SIZED PHASE-SHIFT MASK
(FR) MASQUE À DÉPHASAGE DE GRANDE TAILLE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MASQUE À DÉPHASAGE DE GRANDE TAILLE
(JA) 大型位相シフトマスクおよび大型位相シフトマスクの製造方法
Abrégé
(EN) Provided are: a phase-shift mask which is a large-sized photomask that enables the exposure of a large-sized area to light and has a constitution suitable for the formation of a fine pattern; and a method for producing the phase-shift mask. A large-sized phase-shift mask is produced, which can be produced easily and enables the transfer of a fine pattern. The large-sized phase-shift mask has such a constitution that a light-shielding film contains chromium or a chromium compound as the main component, a phase-shift film contains chromium oxide or oxidized chromium nitride as the main component, and the phase-shift film is laminated on the light-shielding film in the light-shielding area. The reflectance of the light-shielding area can be reduced by employing such a constitution that an anti-reflective film comprising a chromium compound is additionally provided between the light-shielding film and the phase-shift film.
(FR) La présente invention concerne un masque à déphasage qui est un photomasque de grande taille permettant l'exposition d'une zone de grande taille à la lumière et ayant une constitution appropriée pour la formation d'un motif fin. L'invention concerne également un procédé de production du masque à déphasage. Le procédé permet de fabriquer facilement un masque à déphasage de grande taille permettant le transfert d'un motif fin. Le masque à déphasage de grande taille a une constitution telle qu'un film écran à la lumière contient du chrome ou un composé de chrome comme constituant principal, un film à déphasage contient de l'oxyde de chrome ou du nitrure de chrome oxydé comme constituant principal, et le film à déphasage est stratifié sur le film écran à la lumière dans la zone écran à la lumière. On peut diminuer la réflectance de la zone écran à la lumière en employant une constitution telle qu'un film antireflet comprenant un composé de chrome est disposé en plus entre le film écran à la lumière et le film à déphasage.
(JA)  大サイズの領域を露光する大型のフォトマスクで、微細なパターンを形成するのに好適な構成の位相シフトマスク、およびその製造方法を提供する。遮光膜はクロムまたはクロム化合物を主成分とし、位相シフト膜は酸化クロムないし酸化窒化クロムを主成分とし、前記遮光領域では遮光膜上に位相シフト膜が積層されている構成とすることで、製造が容易で微細なパターンを転写可能な大型位相シフトマスクを得た。また、遮光膜と位相シフト膜の間に、クロム化合物からなる反射防止膜をさらに有する構成として遮光領域の反射率を抑えた。
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