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1. (WO2013058352) CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE DU GROUPE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/058352    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/077054
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 19.10.2012
CIB :
C30B 29/38 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251 (JP)
Inventeurs : OHATA, Tatsuhiro; .
MATSUMOTO, Hajime; .
NAGAO, Satoru; .
UCHIYAMA, Yasuhiro; .
KUBO, Shuichi; .
FUJITO, Kenji;
Mandataire : KAWAGUCHI, Yoshiyuki; Acropolis 21 Building 6th floor, 4-10, Higashi Nihonbashi 3-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-232017 21.10.2011 JP
Titre (EN) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL
(FR) CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE DU GROUPE III
(JA) III族窒化物半導体結晶
Abrégé : front page image
(EN)Since a group III nitride semiconductor crystal such as gallium nitride sometimes suffers from cracking during the processing such as slicing or polishing, the group III nitride semiconductor crystal has been a factor that lowers the production yield of a substrate or the like. By having a region (region X) where the basal plane dislocation density is not less than a specific value and a region (region Y) where the basal plane dislocation density is less than the specific value, the internal stress within the crystal is dispersed, a group III nitride semiconductor crystal becomes less susceptible to cracking during the processing such as slicing or polishing.
(FR)Étant donné qu'un cristal semi-conducteur de nitrure du groupe III tel que le nitrure de gallium subit parfois une fissuration pendant un traitement tel que le tranchage ou le polissage, le cristal semi-conducteur de nitrure du groupe III a été un facteur qui abaisse le rendement de production d'un substrat ou analogue. Par la présence d'une région (région X) où la densité de dislocation dans le plan basal n'est pas inférieure à une valeur spécifique et d'une région (région Y) où la densité de dislocation dans le plan basal est inférieure à la valeur spécifique, la tension interne dans le cristal est dispersée, un cristal semi-conducteur de nitrure du groupe III devient moins sensible à la fissuration pendant un traitement tel que le tranchage ou le polissage.
(JA)窒化ガリウム等のIII族窒化物半導体結晶は、スライス、研磨等の成形加工時に割れが生じることがあり、基板等を製造する際の歩留りを低下させる要因となっていた。基底面転位密度が特定の値以上である領域(領域X)及び基底面転位密度が特定の値未満である領域(領域Y)を有することによって、結晶内の内部応力が分散され、スライス、研磨等の成形加工時に割れが生じにくいIII族窒化物半導体結晶となる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)