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1. (WO2013058291) PROCÉDÉ DE LIAISON D'ÉLÉMENTS SEMI-CONDUCTEURS ET STRUCTURE DE LIAISON
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/058291    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/076867
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 17.10.2012
CIB :
H01L 31/04 (2006.01), H01L 51/42 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
MIZUNO Hidenori [JP/JP]; (JP) (US only).
MAKITA Kikuo [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : MIZUNO Hidenori; (JP).
MAKITA Kikuo; (JP)
Mandataire : OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-227787 17.10.2011 JP
2012-141032 22.06.2012 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT BONDING METHOD AND BONDING STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE LIAISON D'ÉLÉMENTS SEMI-CONDUCTEURS ET STRUCTURE DE LIAISON
(JA) 半導体素子の接合方法および接合構造
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a method which bonds semiconductor elements, and a bonding structure arising from the bonding method, while ensuring superior conductivity and transparency at an interface. To provide a method which bonds semiconductor elements, and a bonding structure arising from the bonding method, with which it is possible to ensure superior conductivity at the interface, and to design optical characteristics which act advantageously on element characteristics. [Solution] A method which bonds semiconductor elements positions conductive nanoparticles which are not covered with organic molecules on the surface of a semiconductor element with no optical loss, and adhesion presses another semiconductor element thereupon.
(FR)La présente invention vise à proposer un procédé qui lie des éléments semi-conducteurs et une structure de liaison découlant du procédé de liaison, tout en garantissant une conductivité et une transparence supérieures au niveau d'une interface. La présente invention vise également à proposer un procédé qui lie des éléments semi-conducteurs et une structure de liaison résultant du procédé de liaison, avec lequel il est possible de garantir une conductivité supérieure au niveau de l'interface et de concevoir des caractéristiques optiques qui agissent de manière avantageuse sur des caractéristiques d'élément. A cet effet, la présente invention porte sur un procédé qui lie des nanoparticules conductrices de positions d'éléments semi-conducteurs qui ne sont pas recouvertes de molécules organiques sur la surface d'un élément semi-conducteur, sans perte optique, et une adhérence presse un autre élément semi-conducteur sur celui-ci.
(JA)【課題】界面において優れた導電性ならびに透明性を確保しながら半導体素子を接合する方法、およびその接合方法による接合構造を提供する。界面において優れた導電性を確保し、かつ素子特性に有利に働く光学特性の設計が可能な半導体素子の接合方法、およびその接合方法による接合構造を提供する。 【解決手段】有機分子で覆われていない導電性ナノ粒子を半導体素子の表面に光学的損失なく配置し、その上に他方の半導体素子を圧着させる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)