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1. (WO2013058222) PROCÉDÉ DE DÉTACHEMENT D'UN SUBSTRAT DE SUPPORT DE TRANCHE LIÉ EN PHASE SOLIDE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/058222    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/076656
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 16.10.2012
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventeurs : NAKAJIMA Tsunehiro; (JP)
Mandataire : OKUYAMA, Shoichi; 7th Floor, Akasaka Eight One Building, 13-5, Nagata-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000014 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-228545 18.10.2011 JP
Titre (EN) SOLID-PHASE BONDED WAFER SUPPORT SUBSTRATE DETACHMENT METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTACHEMENT D'UN SUBSTRAT DE SUPPORT DE TRANCHE LIÉ EN PHASE SOLIDE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固相接合ウエハの支持基板の剥離方法および半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An objective of the present invention is to provide a solid-phase bonded wafer support substrate detachment method and semiconductor device fabrication method with which it is possible to use a silicon thin wafer when commencing a wafer process with the wafer effectively not being diced, whereby it is easy to detach the silicon thin wafer from the support substrate, and it is possible to minimize wafer costs. A method of detaching a support substrate from a solid-state bonded wafer which includes a silicon wafer and the support substrate which is solid-state bonded to the reverse face of the silicon wafer comprises at least: a fracture layer forming step of aligning a focal point with the solid-state bonding interface between the silicon wafer and the support substrate, projecting a laser beam upon the silicon wafer using a transmissible wavelength of light, and forming a fracture layer on at least a portion of the outer circumference part of the solid-state bonding interface; a fracture layer detachment step of detaching the fracture layer; and a bonding interface detachment step of detaching the solid-state bonding interface.
(FR)Un objet de la présente invention est de fournir un procédé de détachement d'un substrat de support de tranche liée en phase solide et un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, permettant d'utiliser une tranche mince en silicium lors du commencement du processus de fabrication de tranche alors que la tranche n'est effectivement pas coupée en dés, la tranche mince en silicium pouvant être facilement détachée du substrat de support et les coûts de la tranche pouvant être réduits au minimum. Un procédé de détachement d'un substrat de support d'une tranche liée à l'état solide, comprenant une tranche de silicium et le substrat de support lié à l'état solide au verso de la tranche de silicium, comprend au moins : une étape de formation de couche de rupture destinée à aligner un point focal avec l'interface de liaison à l'état solide entre la tranche de silicium et le substrat de support, de projection d'un faisceau laser sur la tranche de silicium au moyen d'une longueur d'onde de lumière transmissible, et de formation d'une couche de rupture sur au moins une portion de la partie de circonférence externe de l'interface de liaison à l'état solide ; une étape de détachement de la couche de rupture destinée à détacher la couche de rupture ; et une étape de détachement de l'interface de liaison destinée à détacher l'interface de liaison à l'état solide.
(JA) ウエハプロセス投入時よりSi薄ウエハを実質的にウエハ割れなく使うことができ、Si薄ウエハと支持基板との剥離が容易で、ウエハコストを低減することができる固相接合ウエハの支持基板の剥離方法および半導体装置の製造方法を提供すること。Siウエハと当該Siウエハの裏面に固相接合された支持基板とを含む固相接合ウエハから前記支持基板を剥離する方法であって、前記Siウエハと前記支持基板との固相接合界面に集光点を合わせて、Siウエハに透過性の波長光を用いたレーザー光を照射して、前記固相接合界面の外周部の少なくとも一部に破断層を形成する破断層形成工程と、前記破断層を剥離する破断層剥離工程と、前記固相接合界面を剥離する接合界面剥離工程とを少なくとも含む支持基板を剥離する方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)