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1. (WO2013058183) TAMPON À POLIR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/058183    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/076441
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 12.10.2012
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/20 (2012.01), B24B 37/24 (2012.01), C08G 18/32 (2006.01)
Déposants : FUJIBO HOLDINGS, INC. [JP/JP]; 18-12, 1-chome, Nihonbashi Ningyo-cho, Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
Inventeurs : ITOYAMA Kouki; (JP).
MIYAZAWA Fumio; (JP)
Mandataire : TSUJII Koichi; NAKAMURA & PARTNERS, Shin-Tokyo Bldg., 3-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008355 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-228987 18.10.2011 JP
Titre (EN) POLISHING PAD AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) TAMPON À POLIR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 研磨パッド及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are: a polishing pad, which improves the problem of scratches that are produced in cases where conventional hard (dry) polishing pads are used, which has having excellent polishing rate and polishing uniformity, and which is applicable not only to primary polishing but also to final polishing; and a method for producing the polishing pad. A polishing pad for semiconductor device polishing, which comprises a polishing layer having a polyurethane polyurea resin molded body that contains generally spherical cells. This polishing pad for semiconductor device polishing is characterized in that: the polyurethane polyurea resin molded body has a closed cell ratio of 60-98%; the ratio of the loss modulus (E") to the storage modulus (E'), namely loss modulus/storage modulus (tan δ) of the polyurethane polyurea resin molded body is 0.15-0.30; the storage modulus (E') is 1-100 MPa; and the polyurethane polyurea resin molded body has a density (D) of 0.4-0.8 g/cm3.
(FR)La présente invention concerne un tampon à polir améliorant le problème de rayures produites dans des cas dans lesquels des tampons à polir (secs) durs classiques sont utilisés, présentant un taux de polissage et une uniformité de polissage d'excellente qualité, et pouvant être appliqué non seulement pour un polissage primaire mais également pour un polissage final ; et un procédé de production du tampon à polir. Un tampon à polir destiné au polissage d'un dispositif à semi-conducteur, comprend une couche de polissage présentant un corps moulé en polyrésine de polyuréthane contenant des alvéoles généralement sphériques. Ce tampon à polir destiné au polissage d'un dispositif à semi-conducteur est caractérisé en ce que : le corps moulé en polyrésine de polyuréthane présente un taux d'alvéoles fermées de 60-98 % ; le rapport du module de pertes (E") au module de conservation (E'), à savoir module de pertes/module de conservation (tan δ) du corps moulé en polyrésine de polyuréthane est 0,15-0,30 ; le module de conservation (E') est 1-100 MPa ; et le corps moulé en polyrésine de polyuréthane présente une densité (D) de 0,4-0,8 g/cm3.
(JA) 従来の硬質(乾式)研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。 略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂成形体を有する研磨層を備える半導体デバイス研磨用の研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の独泡率が、60~98%であり、前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の貯蔵弾性率E'に対する損失弾性率E"の割合(損失弾性率/貯蔵弾性率)tanδが、0.15~0.30であり、前記貯蔵弾性率E'が、1~100MPaであり、且つ 前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の密度Dが、0.4~0.8g/cmであることを特徴とする、前記半導体デバイス研磨用の研磨パッド。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)