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1. WO2013058183 - TAMPON À POLIR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/2013/058183
Date de publication 25.04.2013
N° de la demande internationale PCT/JP2012/076441
Date du dépôt international 12.10.2012
CIB
H01L 21/304 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
B24B 37/20 2012.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
11Outils de rodage
20Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes
B24B 37/24 2012.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
11Outils de rodage
20Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes
24caractérisés par la composition ou les propriétés des matériaux du tampon
C08G 18/32 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
18Polymérisats d'isocyanates ou d'isothiocyanates
06avec des composés contenant des hydrogènes actifs
28caractérisés par l'emploi de composés spécifiés contenant un hydrogène actif
30Composés de bas poids moléculaire
32Composés polyhydroxylés; Polyamines; Hydroxyamines
CPC
B24B 37/24
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
11Lapping tools
20Lapping pads for working plane surfaces
24characterised by the composition or properties of the pad materials
C08G 18/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
18Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
06with compounds having active hydrogen
08Processes
10Prepolymer processes involving reaction of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen in a first reaction step
C08G 18/3206
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
18Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
06with compounds having active hydrogen
28characterised by the compounds used containing active hydrogen
30Low-molecular-weight compounds
32Polyhydroxy compounds; Polyamines; Hydroxyamines
3203Polyhydroxy compounds
3206aliphatic
C08G 18/3814
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
18Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
06with compounds having active hydrogen
28characterised by the compounds used containing active hydrogen
30Low-molecular-weight compounds
38having heteroatoms other than oxygen
3802having halogens
3814Polyamines
C08G 18/4854
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
18Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
06with compounds having active hydrogen
28characterised by the compounds used containing active hydrogen
40High-molecular-weight compounds
48Polyethers
4854Polyethers containing oxyalkylene groups having four carbon atoms in the alkylene group
C08G 18/7621
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
18Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
06with compounds having active hydrogen
70characterised by the isocyanates or isothiocyanates used
72Polyisocyanates or polyisothiocyanates
74cyclic
76aromatic
7614containing only one aromatic ring
7621being toluene diisocyanate including isomer mixtures
Déposants
  • 富士紡ホールディングス株式会社 FUJIBO HOLDINGS, INC. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 糸山 光紀 ITOYAMA Kouki
  • 宮澤 文雄 MIYAZAWA Fumio
Mandataires
  • 辻居 幸一 TSUJII Koichi
Données relatives à la priorité
2011-22898718.10.2011JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) POLISHING PAD AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) TAMPON À POLIR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 研磨パッド及びその製造方法
Abrégé
(EN) Provided are: a polishing pad, which improves the problem of scratches that are produced in cases where conventional hard (dry) polishing pads are used, which has having excellent polishing rate and polishing uniformity, and which is applicable not only to primary polishing but also to final polishing; and a method for producing the polishing pad. A polishing pad for semiconductor device polishing, which comprises a polishing layer having a polyurethane polyurea resin molded body that contains generally spherical cells. This polishing pad for semiconductor device polishing is characterized in that: the polyurethane polyurea resin molded body has a closed cell ratio of 60-98%; the ratio of the loss modulus (E") to the storage modulus (E'), namely loss modulus/storage modulus (tan δ) of the polyurethane polyurea resin molded body is 0.15-0.30; the storage modulus (E') is 1-100 MPa; and the polyurethane polyurea resin molded body has a density (D) of 0.4-0.8 g/cm3.
(FR) La présente invention concerne un tampon à polir améliorant le problème de rayures produites dans des cas dans lesquels des tampons à polir (secs) durs classiques sont utilisés, présentant un taux de polissage et une uniformité de polissage d'excellente qualité, et pouvant être appliqué non seulement pour un polissage primaire mais également pour un polissage final ; et un procédé de production du tampon à polir. Un tampon à polir destiné au polissage d'un dispositif à semi-conducteur, comprend une couche de polissage présentant un corps moulé en polyrésine de polyuréthane contenant des alvéoles généralement sphériques. Ce tampon à polir destiné au polissage d'un dispositif à semi-conducteur est caractérisé en ce que : le corps moulé en polyrésine de polyuréthane présente un taux d'alvéoles fermées de 60-98 % ; le rapport du module de pertes (E") au module de conservation (E'), à savoir module de pertes/module de conservation (tan δ) du corps moulé en polyrésine de polyuréthane est 0,15-0,30 ; le module de conservation (E') est 1-100 MPa ; et le corps moulé en polyrésine de polyuréthane présente une densité (D) de 0,4-0,8 g/cm3.
(JA)  従来の硬質(乾式)研磨パッドを用いた場合に生ずるスクラッチの問題を改善し、かつ研磨レートや研磨均一性に優れ、一次研磨だけでなく仕上げ研磨にも対応できる研磨パッド及びその製造方法を提供する。 略球状の気泡を含むポリウレタンポリウレア樹脂成形体を有する研磨層を備える半導体デバイス研磨用の研磨パッドであって、前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の独泡率が、60~98%であり、前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の貯蔵弾性率E'に対する損失弾性率E"の割合(損失弾性率/貯蔵弾性率)tanδが、0.15~0.30であり、前記貯蔵弾性率E'が、1~100MPaであり、且つ 前記ポリウレタンポリウレア樹脂成形体の密度Dが、0.4~0.8g/cmであることを特徴とする、前記半導体デバイス研磨用の研磨パッド。
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