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1. (WO2013058001) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE LUMIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/058001    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/069727
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 02.08.2012
CIB :
H01L 31/107 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/02 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (Tous Sauf US).
NAGANO Terumasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HOSOKAWA Noburo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI Tomofumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
BABA Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGANO Terumasa; (JP).
HOSOKAWA Noburo; (JP).
SUZUKI Tomofumi; (JP).
BABA Takashi; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-232109 21.10.2011 JP
Titre (EN) LIGHT DETECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE LUMIÈRE
(JA) 光検出装置
Abrégé : front page image
(EN)A light detection device (1) is provided with: a semiconductor light detection element (10A) having a semiconductor substrate (1N); and a mount substrate (20) disposed so as to face the semiconductor light detection element (10A). The semiconductor light detection element (10A) contains multiple avalanche photodiodes (APD) operating in Geiger mode and formed within the semiconductor substrate (1N), and electrodes (E7) electrically connected to the respective avalanche photodiodes (APD) and arranged on the side of main surface (1Nb) of the semiconductor substrate (1N). The mount substrate (20) contains multiple electrodes (E9) arranged on the main surface (20a) side so as to correspond with each electrode (E7), and quenching resistors (R1) electrically connected to the respective electrode (E9) and arranged on the side of main surface (20a). Electrodes (E7) and electrodes (E9) are coupled via bump electrodes (BE).
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif de détection de lumière (1) qui est pourvu : d'un élément de détection de lumière semi-conducteur (10A) qui comprend un substrat semi-conducteur (1N) ; et d'un substrat de montage (20) agencé de sorte à faire face à l'élément de détection de lumière semi-conducteur (10A). L'élément de détection de lumière semi-conducteur (10A) comprend de multiples photodiodes à avalanche (APD) qui fonctionnent en mode Geiger et qui sont formées dans le substrat semi-conducteur (1N), ainsi que des électrodes (E7) raccordées électriquement aux photodiodes à avalanche (APD) et agencées sur le côté d'une surface principale (1Nb) du substrat semi-conducteur (1N). Le substrat de montage (20) comprend de multiples électrodes (E9) agencées du côté de la surface principale (20a) de sorte à correspondre à chaque électrode (E7), ainsi que des résistances de coupure (R1) raccordées électriquement à l'électrode respective (E9) et agencées sur le côté de la surface principale (20a). Les électrodes (E7) et les électrodes (E9) sont couplées par l'intermédiaire d'électrodes à bosse (BE).
(JA) 光検出装置1は、半導体基板1Nを有する半導体光検出素子10Aと、半導体光検出素子10に対向配置される搭載基板20とを備える。半導体光検出素子10Aは、ガイガーモードで動作すると共に半導体基板1N内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードAPDと、それぞれのアバランシェフォトダイオードAPDに対して電気的に接続されると共に半導体基板1Nの主面1Nb側に配置された電極E7とを含む。搭載基板20は、電極E7毎に対応して主面20a側に配置された複数の電極E9と、それぞれの電極E9に対して電気的に接続されると共に主面20a側に配置されたクエンチング抵抗R1とを含む。電極E7と電極E9とが、バンプ電極BEを介して接続されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)