WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013057867) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/057867    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/005629
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 05.09.2012
CIB :
H01L 23/12 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
SAKAMOTO, Takeshi; (US Seulement)
Inventeurs : SAKAMOTO, Takeshi;
Mandataire : MAEDA & PARTNERS; Osaka-Marubeni Bldg.5F, 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-232064 21.10.2011 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)This semiconductor device is provided with: a first base material (1) having a first surface (19); a second base material (2), which has a second surface (20) adjacent to the first surface (19), has a linear expansion coefficient different from that of the first base material (1), and is in contact with the first base material (1); and first wiring (31), which is provided on the first surface (19) and the second surface (20) such that the first wiring traverses a boundary line (28) between the first base material (1) and the second base material (2). A cross-section area of the first wiring (31) on the boundary line (28) is larger than an area of a cross-section of at least a part of a first wiring (31) portion on the first surface (19), said cross-section being in the wiring width direction, or is larger than an area of a cross-section of at least a part of a first wiring (31) portion on the second surface (20), said cross-section being in the wiring width direction.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif semi-conducteur qui est pourvu : d'un premier matériau de base (1) qui présente une première surface (19) ; d'un second matériau de base (2) qui présente une seconde surface (20) qui est adjacente à la première surface (19), présente un coefficient de dilatation linéaire qui est différent de celui du premier matériau de base (1) et qui est en contact avec le premier matériau de base (1) ; et d'un premier câblage (31) qui est agencé sur la première surface (19) et la seconde surface (20) de telle sorte que le premier câblage traverse une ligne frontière (28) située entre le premier matériau de base (1) et le second matériau de base (2). Une aire de section transversale du premier câblage (31) sur la ligne frontière (28) est plus importante qu'une aire d'une section transversale d'au moins une partie d'une portion du premier câblage (31) sur la première surface (19), ladite section transversale se trouvant dans le sens de la largeur du câblage, ou est plus importante qu'une aire d'une section transversale d'au moins une partie d'une portion du premier câblage (31) sur la seconde surface (20), ladite section transversale se trouvant dans le sens de la largeur du câblage.
(JA)半導体装置は、第1の面19を有する第1の基材1と、第1の面19に隣接する第2の面20を有し、第1の基材1とは線膨張係数が異なり、第1の基材1と接する第2の基材2と、第1の面19上及び第2の面20上に、第1の基材1と第2の基材2との境界線28を跨ぐように設けられた第1の配線31とを備える。境界線28上での第1の配線31の断面積は、第1の配線31のうち、第1の面19上に設けられた部分の少なくとも一部の配線幅方向断面の面積、又は第1の配線31のうち、第2の面20上に設けられた部分の少なくとも一部の配線幅方向断面の面積よりも大きい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)