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1. (WO2013057172) MODULE SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE ET ENSEMBLE MODULE SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE COMPRENANT DE MULTIPLES MODULES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/057172    N° de la demande internationale :    PCT/EP2012/070621
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 18.10.2012
CIB :
H01L 25/07 (2006.01), H01L 23/051 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 23/62 (2006.01)
Déposants : ABB TECHNOLOGY AG [CH/CH]; Affolternstrasse 44 CH-8050 Zürich (CH) (Tous Sauf US).
DUGAL, Franc [CA/CH]; (CH) (US only).
TRÜSSEL, Dominik [CH/CH]; (CH) (US only)
Inventeurs : DUGAL, Franc; (CH).
TRÜSSEL, Dominik; (CH)
Mandataire : FOLINI, Oliver; ABB Patent Attorneys c/o ABB Schweiz AG Intellectual Property CH-IP Brown Boveri Strasse 6 CH-5400 Baden (CH)
Données relatives à la priorité :
11186101.9 21.10.2011 EP
Titre (DE) POWER SEMICONDUCTER MODULE AND POWER SEMICONDUCTOR MODULE ASSEMBLY WITH MULTIPLE POWER SEMICONDUCTER MODULES
(EN) POWER SEMICONDUCTER MODULE AND POWER SEMICONDUCTOR MODULE ASSEMBLY WITH MULTIPLE POWER SEMICONDUCTER MODULES
(FR) MODULE SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE ET ENSEMBLE MODULE SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE COMPRENANT DE MULTIPLES MODULES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a power semiconductor module (1) comprising an electrically conducting base plate (2), an electrically conducting top plate, arranged in parallel to the base plate (2) and spaced apart from the base plate (2), at least one power semiconductor device (3), which is arranged on the base plate (2) in a space formed between the base plate (2) and the top plate, and at least one presspin (5, 7), which is arranged in the space formed between the base plate (2) and the top plate to provide contact between the semiconductor device (3) and the top plate, whereby a metallic protection plate (11) is provided at an inner face of the top plate facing towards the base plate (2), whereby the material of the protection plate (11) has a melting temperature higher than the melting temperature of the top plate. The present invention further provides a power semiconductor module assembly, comprising multiple power semiconductor modules (1) as mentioned above, whereby the power semiconductor modules (1) are arranged side by side to each other with electric connections between adjacent power semiconductor modules (1).
(FR)La présente invention concerne un module semiconducteur de puissance (1) comprenant une plaque de base électroconductrice (2), une plaque supérieure électroconductrice, placée parallèlement à la plaque de base (2) et écartée de la plaque de base (2), au moins un dispositif semiconducteur de puissance (3) qui est disposé sur la plaque de base (2) dans un espace formé entre la plaque de base (2) et la plaque supérieure et au moins une broche à presser (5, 7) qui est disposée dans l'espace ménagé entre la plaque de base (2) et la plaque supérieure afin d'établir le contact entre le dispositif semiconducteur (2) et la plaque supérieure. Une plaque métallique de protection (11) est placée sur la face intérieure de la plaque supérieure, orientée dans la direction de la plaque de base (2). Le matériau de la plaque de protection (11) a une température de fusion supérieure à celle de la plaque supérieure. La présente invention concerne en outre un ensemble module semiconducteur de puissance, comprenant une pluralité de modules semiconducteurs de puissance (1) ci-dessus. Les modules semiconducteurs de puissance (1) sont juxtaposés entre eux avec des connexions électriques entre des modules semiconducteurs de puissance (1) adjacents.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)