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1. (WO2013057134) SYNTHÈSE DE NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES À L'AIDE DE PRÉCURSEURS MÉTALLIQUES COMPRENANT DES ANIONS NON COORDINANTS OU COORDINANT FAIBLEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/057134    N° de la demande internationale :    PCT/EP2012/070551
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 17.10.2012
CIB :
C09K 11/02 (2006.01), C09K 11/56 (2006.01), C09K 11/62 (2006.01)
Déposants : BAYER INTELLECTUAL PROPERTY GMBH [DE/DE]; Alfred-Nobel-Str. 10 40789 Monheim (DE) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, IE, IL, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KZ, LC, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, OM, PA, PE, PG, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, ZA, ZM, ZW only).
BAYER (SOUTH EAST ASIA) PTE. LTD. [SG/SG]; 63 Chulia Street, OCBC Centre East #14-00 Singapore 049514 (SG) (AU, CN, ID, IN, KP, KR, LA, LK, MY, NZ, PH, SG, TH, VN only)
Inventeurs : BAHNMUELLER, Stefan; (SG).
TIAN, Susan; (SG).
TIAN, Shizhe; (SG).
HOHEISEL, Werner; (DE)
Mandataire : BAYER INTELLECTUAL PROPERTY GMBH; Alfred-Nobel-Straße 10 40789 Monheim (DE)
Données relatives à la priorité :
201107678-3 19.10.2011 SG
Titre (EN) SYNTHESIS OF SEMICONDUCTOR NANOPARTICLES USING METAL PRECURSORS COMPRISING NON- OR WEAKLY COORDINATING ANIONS
(FR) SYNTHÈSE DE NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES À L'AIDE DE PRÉCURSEURS MÉTALLIQUES COMPRENANT DES ANIONS NON COORDINANTS OU COORDINANT FAIBLEMENT
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for the synthesis of semiconductor nanoparticles comprising elements of the groups IB, IIB, IIIA, IVA, VA or VIA of the periodic classification wherein the composition of the core nanoparticle is selected from the group consisting of IB-VIA, IIB-VIA, IIIA-VIA, IB-IIIA-VIA or IB-IIB-TVA-VIA, IIB-IIIA-VIA, IIB-TVA-VA or mixtures thereof, and at least one shell comprises elements of the groups IIB and VIA,, wherein in case the core composition is IIB-VIA the shell comprises at least a further element selected from the groups IB, IIIA, IVA or VA, using metal precursors comprising non- or weakly coordinating anions. It further relates to the consecutive process for the synthesis that includes first the preparation of a binary nanoparticle system then modified to make a ternary system which again can be further modified to make a quaternary system.
(FR)La présente invention concerne un procédé destiné à la synthèse de nanoparticules semi-conductrices comprenant des éléments des groupes IB, IIB, IIIA, IVA, VA ou VIA de la classification périodique. Selon l'invention, la composition de la nanoparticule de noyau est sélectionnée dans le groupe constitué par IB-VIA, IIB-VIA, IIIA-VIA, IB-IIIA-VIA ou IB-IIB-TVA-VIA, IIB-IIIA-VIA, IIB-TVA-VA ou leurs mélanges, et au moins une coquille comprend des éléments des groupes IIB et VIA. Dans le cas où la composition de noyau consiste en IIB-VIA, la coquille comprend au moins un autre élément sélectionné parmi les groupes IB, IIIA, IVA ou VA. Le procédé de synthèse selon l'invention comprend l'utilisation de précurseurs métalliques comprenant des anions non coordinants ou coordinant faiblement. L'invention concerne en outre le procédé consécutif destiné à la synthèse qui inclut d'abord la préparation d'un système binaire de nanoparticules ensuite modifié pour donner un système ternaire qui de nouveau peut être modifié davantage pour donner un système quaternaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)