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1. (WO2013056627) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN RÉSEAU HOLOGRAPHIQUE À DEUX BLAZES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/056627    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/082674
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 10.10.2012
CIB :
G02B 5/18 (2006.01), G03F 7/00 (2006.01)
Déposants : SOOCHOW UNIVERSITY [CN/CN]; No.199 Renai Road, Industrial Park, Jiangsu Suzhou, Jiangsu 215123 (CN) (Tous Sauf US).
LIU, Quan [CN/CN]; (CN) (US only).
WU, Jianhong [CN/CN]; (CN) (US only).
CHEN, Minghui [CN/CN]; (CN) (US only)
Inventeurs : LIU, Quan; (CN).
WU, Jianhong; (CN).
CHEN, Minghui; (CN)
Mandataire : UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place No.22, Jian Guo Men Wai Ave., Chao Yang District Beijing 100004 (CN)
Données relatives à la priorité :
201110318455.4 19.10.2011 CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING HOLOGRAPHIC BI-BLAZED GRATING
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN RÉSEAU HOLOGRAPHIQUE À DEUX BLAZES
(ZH) 一种全息双闪耀光栅的制作方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a holographic bi-blazed grating. Two blaze angles of the holographic bi-blazed grating are respectively a blaze angle A and a blaze angle B, and oblique-ion beam etching is performed on two grating areas A and B respectively by using a photoresist grating (12) and a homogeneous grating (14) as masks, thereby implementing different controls on the two blaze angles, and avoiding a secondary photoresist lithography process. Because when manufacturing the homogeneous grating (14), the time of positive ion beam etching can be controlled, so that the groove depth of the homogeneous grating (14) is controlled accurately. In addition, because the homogeneous grating mask and a substrate (10) are made of the same material, etching rates of the two are consistent, so that the accurate control of blaze angles can be implemented.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un réseau holographique à deux blazes. Les deux angles de blaze du réseau holographique à deux blazes sont respectivement l'angle de blaze A et l'angle de blaze B, et une gravure ionique oblique est réalisée respectivement sur les deux zones de réseau A et B à l'aide d'un réseau en photorésist (12) et d'un réseau homogène (14) faisant office de masques, cela permet de mettre en œuvre différents contrôles sur les deux angles de blaze et d'éviter un procédé de lithographie à photorésist secondaire. Puisque, lors de la fabrication du réseau homogène (14), le moment de la gravure ionique positive peut être contrôlé, la profondeur de rainure du réseau homogène (14) est réglée avec précision. De plus, puisque le masque de réseau homogène et un substrat (10) sont constitués du même matériau, les taux de gravure des deux sont constants, de sorte qu'un réglage précis des angles de blaze peut être effectué.
(ZH)一种全息双闪耀光栅的制造方法,其中全息双闪耀光栅的两个闪耀角分别是A闪耀角和B闪耀角,通过A、B两个光栅区上分别使用光刻胶光栅(12)和同质光栅(14)为掩模进行斜向离子束刻蚀,实现两个闪耀角的不同控制,避免了二次光刻胶光刻工艺。由于在制作同质光栅(14)时,可以控制正向离子束刻蚀的时间,使同质光栅(14)的槽深得到精确控制,另外由于同质光栅掩模和基片(10)是同一种材质形成,两者的刻蚀速率始终保持一致,因此可以实现闪耀角的精确控制。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)