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1. (WO2013056617) UNITÉ DE PIXEL, SUBSTRAT DE RÉSEAU, PANNEAU À CRISTAUX LIQUIDES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DESTINÉ À UN SUBSTRAT DE RÉSEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/056617 N° de la demande internationale : PCT/CN2012/082347
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 28.09.2012
CIB :
G02F 1/136 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/13357 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.[CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
Inventeurs : KIM, Heecheol; CN
XU, Chao; CN
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; A0601, Huibin Building No. 8 Beichen Dong Street, Chaoyang District Beijing 100101, CN
Données relatives à la priorité :
201110315240.717.10.2011CN
Titre (EN) PIXEL UNIT, ARRAY SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL AND MANUFACTURING METHOD FOR ARRAY SUBSTRATE
(FR) UNITÉ DE PIXEL, SUBSTRAT DE RÉSEAU, PANNEAU À CRISTAUX LIQUIDES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DESTINÉ À UN SUBSTRAT DE RÉSEAU
(ZH) 像素单元、阵列基板、液晶面板及阵列基板的制造方法
Abrégé : front page image
(EN) A pixel unit, an array substrate, a liquid crystal panel and a manufacturing method for an array substrate. The pixel unit includes a thin film transistor (100), a pixel electrode (2) and a common electrode (9), wherein the thin film transistor (100) includes a gate (31), a gate insulation layer (4) disposed on the gate (31), an active layer (5) disposed on the gate insulation layer (4), a source (61) and a drain (62) disposed on the active layer (5), and a passivation layer (7) disposed on the source (61) and the drain (62). The common electrode (9) is directly disposed on the passivation layer (7), the pixel electrode (2) is disposed under the passivation layer (7) and is connected to the drain (62) of the thin film transistor (100). Also provided is a manufacturing method for an array substrate including such a pixel unit. An array substrate including such a pixel unit and a liquid crystal panel can improve the visual angle, reduce power consumption, improve aperture opening rate, and thus improve display quality.
(FR) La présente invention a trait à une unité de pixel, à un substrat de réseau, à un panneau à cristaux liquides, ainsi qu'à un procédé de fabrication destiné à un substrat de réseau. L'unité de pixel comprend un transistor à couches minces (100), une électrode de pixel (2) et une électrode commune (9), ledit transistor à couches minces (100) comportant une grille (31), une couche d'isolation de grille (4) située sur cette grille (31), une couche active (5) présente sur la couche d'isolation de grille (4), une source (61) et un drain (62) disposés sur la couche active (5), ainsi qu'une couche de passivation (7) se trouvant sur la source (61) et le drain (62). L'électrode commune (9) se situe directement sur la couche de passivation (7), et l'électrode de pixel (2) se trouve sous ladite couche de passivation (7) et est connectée au drain (62) du transistor à couches minces (100). La présente invention concerne également un procédé de fabrication destiné à un substrat de réseau comprenant une unité de pixel de ce type. Un substrat de réseau comportant une unité de pixel de ce type et un panneau à cristaux liquides peuvent accroître l'angle visuel, réduire la consommation d'énergie, augmenter le rapport d'ouverture de l'interstice, et améliorer ainsi la qualité d'affichage.
(ZH) 一种像素单元、阵列基板、液晶面板及阵列基板的制造方法,该像素单元包括薄膜晶体管(100)、像素电极(2)和公共电极(9),薄膜晶体管(100)包括栅极(31)、设置于栅极(31)之上的栅绝缘层(4)、设置于栅绝缘层(4)之上有源层(5)、设置于有源层(5)之上的源极(61)和漏极(62)、以及设置于源极(61)和漏极(62)之上的钝化层(7)。公共电极(9)直接设置在钝化层(7)之上;像素电极(2)设置在钝化层(7)之下,并与薄膜晶体管(100)的漏极(62)相连接。还提供了一种包括该像素单元的阵列基板的制造方法。包括该像素单元的阵列基板及液晶面板均可以提高可视角度,并降低功耗,提高开口率,进而提升显示品质。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)