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1. (WO2013056405) STRUCTURE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FORMER CETTE DERNIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/056405    N° de la demande internationale :    PCT/CN2011/001997
Date de publication : 25.04.2013 Date de dépôt international : 30.11.2011
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN) (Tous Sauf US).
LIANG, Qingqing [CN/US]; (US) (US Seulement).
ZHONG, Huicai [CN/US]; (US) (US Seulement).
ZHU, Huilong [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIANG, Qingqing; (US).
ZHONG, Huicai; (US).
ZHU, Huilong; (US)
Mandataire : CHINA PATENT AGENT ( H. K. ) LTD.; 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong (CN)
Données relatives à la priorité :
201110314174.1 17.10.2011 CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING SAME
(FR) STRUCTURE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FORMER CETTE DERNIÈRE
(ZH) 半导体结构和形成该半导体结构的方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor structure, including: a substrate, a conductor layer located on the substrate, a dielectric layer surrounding the conductor layer, an insulation layer coating the conductor layer and the dielectric layer, a gate conductor layer formed on the insulation layer, a dielectric layer surrounding the gate conductor layer, an insulation layer coating the gate conductor layer and the dielectric layer surrounding the gate conductor layer, a channel filled with a semiconductor material and vertically passing through the gate conductor layer, wherein the bottom of the channel stops on the conductor layer, and the top of the channel is provided with a conductor plug used as a drain/source which is in electrical contact with the conductor layer, and a conductor plug used as a gate is in electrical contact with the gate conductor layer.
(FR)La présente invention se rapporte à une structure à semi-conducteurs qui comprend : un substrat, une couche conductrice disposée sur le substrat, une couche diélectrique qui entoure la couche conductrice, une couche isolante qui recouvre la couche conductrice et la couche diélectrique, une couche conductrice de grille formée sur la couche isolante, une couche diélectrique qui entoure la couche conductrice de grille, une couche isolante qui recouvre la couche conductrice de grille et la couche diélectrique qui entoure la couche conductrice de grille, un canal rempli avec un matériau semi-conducteur et qui passe verticalement à travers la couche conductrice de grille, la partie inférieure du canal s'arrêtant sur la couche conductrice, et la partie supérieure du canal étant pourvue d'un connecteur conducteur utilisé comme drain/source qui est en contact électrique avec la couche conductrice, et d'un connecteur conducteur utilisé comme grille qui est en contact électrique avec la couche conductrice de grille.
(ZH)本发明公开了一种半导体结构,包括:衬底,位于所述衬底上的导体层和围绕所述导体层的电介质层;覆盖所述导体层和所述电介质层的绝缘层;形成在所述绝缘层上的栅极导体层,以及围绕所述栅极导体层的电介质层;覆盖所述栅极导体层和所述围绕栅极导体层的电介质层的绝缘层;填充有半导体材料的通道垂直穿过所述栅极导体层且该通道的底部停止在所述导体层上,在所述通道的顶部设置有用作漏/源极的导体插塞;用作源/漏极的导体插塞与所述导体层电接触,用作栅极的导体插塞与所述栅极导体层电接触。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)