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1. (WO2013056139) PROCÉDÉS ET APPAREIL DE CONCENTRATION D'ÉNERGIE PHOTOVOLTAÏQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/056139    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/060082
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 12.10.2012
CIB :
H01L 31/00 (2006.01)
Déposants : THE MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, Massachusetts 02139-4307 (US)
Inventeurs : AGARWAL, Anuradha M.; (US).
ALBERT, Brian R.; (US).
BRODERICK, Lirong Zeng; (US).
CHENG, Jing; (US).
KIMERLING, Lionel; (US).
LIU, Jifeng; (US).
MICHEL, Jurgen; (US).
SHENG, Xing; (US).
HU, Juejun; (US)
Mandataire : TEJA, JR., Joseph; Foley & Lardner LLP 3000 K Street N.W., Suite 600 Washington, District of Columbia 20007-5109 (US)
Données relatives à la priorité :
61/547,431 14.10.2011 US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS FOR CONCENTRAING PHOTOVOLTAICS
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREIL DE CONCENTRATION D'ÉNERGIE PHOTOVOLTAÏQUE
Abrégé : front page image
(EN)Provided in one embodiment is an article, comprising: a substrate comprising silicon; and a plurality of solar cells disposed over the substrate, wherein at least one of the plurality of the solar cells comprises one of: (i) a first semiconductor layer disposed over the substrate, the first layer comprising at least one semiconductor material; and (ii) a first Ge-containing layer disposed over the substrate, the first layer comprising a Ge-containing material, and a second layer disposed over the first layer, the second layer comprising at least one semiconductor material. At least some of the solar cells may comprise semiconductor materials of different bandgap values.
(FR)La présente invention porte, selon un mode de réalisation, sur un article comprenant : un substrat comprenant du silicium ; et une pluralité de cellules solaires disposées sur le substrat, au moins l'une de la pluralité de cellules solaires comprenant l'une de : (i) une première couche de semi-conducteur disposée sur le substrat, la première couche comprenant au moins une matière de semi-conducteur ; et (ii) une première couche à teneur en Ge disposée sur le substrat, la première couche comprenant une matière à teneur en Ge et une seconde couche disposée sur le premier substrat, la seconde couche comprenant au moins une matière de semi-conducteur. Au moins certaines des cellules solaires peuvent comprendre des matières de semi-conducteur de différentes valeurs de largeur de bande interdite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)