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1. (WO2013055750) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS POUR L'INTÉGRATION D'UN THYRISTOR À GRILLE EN TRANCHÉE AVEC UN REDRESSEUR À GRILLE EN TRANCHÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/055750    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/059484
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 10.10.2012
CIB :
H01L 29/74 (2006.01)
Déposants : PAKAL TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 744 Montgomery Street 5th Floor San Francisco, CA 94111 (US)
Inventeurs : AKIYAMA, Hidenori; .
BLANCHARD, Richard, A.; .
TWORZYDLO, Woytek;
Mandataire : OGONOWSKY, Brian, D.; Patent Law Group LLP 465 Fairchild Drive, Suite 125 Mountain View, CA 94043 (US)
Données relatives à la priorité :
61/545,567 10.10.2011 US
Titre (EN) SYSTEMS AND METHODS INTEGRATING TRENCH-GATED THYRISTOR WITH TRENCH-GATED RECTIFIER
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS POUR L'INTÉGRATION D'UN THYRISTOR À GRILLE EN TRANCHÉE AVEC UN REDRESSEUR À GRILLE EN TRANCHÉE
Abrégé : front page image
(EN)An integrated trench-MOS-controlled-thyristor plus trench gated diode combination, in which the trenches are preferably formed at the same time. A backside polarity reversal process permits a backside P+ region in the thyristor areas, and only a backside n+ region in the diode areas (for an n-type device). This is particularly advantageous in motor control circuits and the like, where the antiparallel diode permits the thyristor to be dropped into existing power MOSFET circuit designs. In power conversion circuits, the antiparallel diode can conveniently serve as a freewheeling diode.
(FR)L'invention concerne une combinaison intégrée d'un thyristor à tranchée, commandé par MOS, et d'une diode à grille en tranchée, les tranchées étant de préférence formées en même temps. Un processus d'inversion de la polarité arrière permet d'avoir une région arrière P+ dans les zones du thyristor et une région arrière n+ dans les régions de diodes (pour un dispositif de type n). Cela est particulièrement avantageux pour des circuits de commande de moteurs, etc., lorsque la diode antiparallèle permet au thyristor d'être intégré dans des maquettes de circuits préexistantes de MOSFET de puissance. Dans des circuits de conversion électrique, la diode antiparallèle peut commodément servir de diode roue libre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)