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1. (WO2013055631) DIODE DE SCHOTTKY AVEC COUCHE NOYÉE DANS DES MATÉRIAUX GAN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/055631    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/059250
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 08.10.2012
CIB :
H01L 29/20 (2006.01)
Déposants : AVOGY, INC. [US/US]; 677 River Oaks Parkway San Jose, CA 95134 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : EDWARDS, Andrew, P.; (US).
NIE, Hui; (US).
KIZILYALLI, Isik, C.; (US).
BROWN, Richard, J.; (US).
BOUR, David, P.; (US).
ROMANO, Linda; (US).
PRUNTY, Thomas, R.; (US)
Mandataire : MCMILLAN, Scott, L.; Kilpatrick Townsend & Stockton, LLP Two Embarcadero Center Eighth Floor San Francisco, CA 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
13/270,625 11.10.2011 US
13/270,641 11.10.2011 US
13/270,606 11.10.2011 US
Titre (EN) SCHOTTKY DIODE WITH BURIED LAYER IN GAN MATERIALS
(FR) DIODE DE SCHOTTKY AVEC COUCHE NOYÉE DANS DES MATÉRIAUX GAN
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor structure includes a III-nitride substrate characterized by a first conductivity type and having a first side and a second side opposing the first side, a III-nitride epitaxial layer of the first conductivity type coupled to the first side of the III-nitride substrate, and a plurality of III-nitride epitaxial structures of a second conductivity type coupled to the III-nitride epitaxial layer. The semiconductor structure further includes a III-nitride epitaxial formation of the first conductivity type coupled to the plurality of III-nitride epitaxial structures, and a metallic structure forming a Schottky contact with the III-nitride epitaxial formation and coupled to at least one of the plurality of III-nitride epitaxial structures.
(FR)Une structure semi-conductrice comprend : un substrat au nitrure III caractérisé par un premier type de conductivité et possédant un premier côté et un second côté opposé au premier côté ; une couche épitaxiale au nitrure III à conductivité du premier type qui est couplée au premier côté du substrat au nitrure III, et une pluralité de structures épitaxiales au nitrure III de type de conductivité d'un second type couplées à la couche épitaxiale au nitrure III. La structure semi-conductrice comprend également une formation épitaxiale au nitrure III à conductivité du premier type qui est couplée à la pluralité des structures épitaxiales au nitrure III, et une structure métallique formant un contact de Schottky avec la formation épitaxiale au nitrure III, qui est couplée à au moins une des structure épitaxiale au nitrure III de la pluralité des structures épitaxiales au nitrure III.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)