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1. (WO2013055436) MISE AU POINT D'UNE JONCTION AMÉLIORÉE À CONTRASTE POUR REDRESSEUR DE COURANT AU SILICIUM À DÉCLENCHEMENT PARASITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/055436    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/050684
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 14.08.2012
CIB :
H01L 29/66 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
CAMPI, John, B. [US/US]; (US) (US Seulement).
GAUTHIER, Robert, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
LI, Junjun [CN/US]; (US) (US Seulement).
MISHRA, Rahul [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CAMPI, John, B.; (US).
GAUTHIER, Robert, J.; (US).
LI, Junjun; (US).
MISHRA, Rahul; (US)
Mandataire : LESTRANGE, Michael, J.; International Business Machines Corporation Intellectual Property Law 972E 1000 River Street Essex Junction, VT 05452 (US)
Données relatives à la priorité :
13/269,819 10.10.2011 US
Titre (EN) STRESS ENHANCED JUNCTION ENGINEERING FOR LATCHUP SCR
(FR) MISE AU POINT D'UNE JONCTION AMÉLIORÉE À CONTRASTE POUR REDRESSEUR DE COURANT AU SILICIUM À DÉCLENCHEMENT PARASITE
Abrégé : front page image
(EN)A method 200 of forming an IC device including a latchup silicon controlled rectifier (SCR) includes forming a mask on a top surface of a substrate 202, wherein the mask covers a first portion of the substrate and exposes a second portion of the substrate that is located in one of an n-well and a p-well on the substrate; etching the exposed second portion of the substrate to form an etched area 203; forming a stress engineered junction of the latchup SCR by selective epitaxial deposition in the etched area 204; and removing the mask 205.
(FR)La présente invention concerne un procédé (200) de formation d'un dispositif à circuit intégré comprenant un redresseur de courant au silicium à déclenchement parasite, consistant à : former un masque sur une surface supérieure d'un substrat (202), le masque recouvrant une première partie du substrat et exposant une seconde partie du substrat située dans un puits n et un puits p sur le substrat ; graver la seconde partie exposée du substrat pour former une zone gravée (203) ; former une jonction mise au point à contrainte du redresseur de courant au silicium à déclenchement parasite par dépôt épitaxial sélectif dans la zone gravée (204) ; et éliminer le masque (205).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)