WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2013055423) PROCÉDÉ ET CONCEPTION D'UNE INTERCONNEXION RF VIA UN TROU MÉTALLISÉ TRAVERSANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/055423    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/047135
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 18.07.2012
CIB :
H01L 23/66 (2006.01)
Déposants : BAE SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONIC SYSTEMS INTEGRATION INC. [US/US]; Po Box 868, NHQ1-719 Nashua, NH 03061-0868 (US) (Tous Sauf US).
ACTIS, Robert [US/US]; (US) (US only).
CHAO, Pane-Chane [US/US]; (US) (US only).
LENDER, Robert, J. [US/US]; (US) (US only).
CHU, Kanin [US/US]; (US) (US only).
SCHMANSKI, Bernard, J. [US/US]; (US) (US only).
JESSUP, Sue, May [US/US]; (US) (US only).
XU, Dong [US/US]; (US) (US only).
IMMORLICA, Anthony, A. [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : ACTIS, Robert; (US).
CHAO, Pane-Chane; (US).
LENDER, Robert, J.; (US).
CHU, Kanin; (US).
SCHMANSKI, Bernard, J.; (US).
JESSUP, Sue, May; (US).
XU, Dong; (US).
IMMORLICA, Anthony, A.; (US)
Mandataire : TENDLER, Robert, K.; 65 Atlantic Avenue Boston, MA 02110 (US)
Données relatives à la priorité :
61/508,799 18.07.2011 US
Titre (EN) METHOD AND DESIGN OF AN RF THRU-VIA INTERCONNECT
(FR) PROCÉDÉ ET CONCEPTION D'UNE INTERCONNEXION RF VIA UN TROU MÉTALLISÉ TRAVERSANT
Abrégé : front page image
(EN)In summary, a vertical metalized transition in the form of a via goes from the back side of a high thermal conductivity substrate and through any semiconductor layers thereon to a patterned metalized strip, with the substrate having a patterned metalized layer on the back side that is provided with a keep away zone dimensioned to provide impedance matching for RF energy coupled through the substrate to the semiconductor device while at the same time permitting the heat generated by the semiconductor device to flow through the high thermal conductivity substrate, through the back side of the substrate and to a heat sink.
(FR)L'invention concerne une transition métallisée verticale sous la forme d'un trou métallisé, qui part d'un côté arrière d'un substrat à conductivité thermique élevée, traverse les couches semiconductrices qui s'y trouvent, jusqu'à un ruban métallisé gravé. Le substrat porte une couche métallisée gravée sur le côté arrière, avec une zone de sécurité qui est dimensionnée pour assurer l'adaptation d'impédance pour l'énergie RF couplée au travers du substrat vers le dispositif semiconducteur tout en permettant simultanément à la chaleur produite par le dispositif semiconducteur de s'écouler au travers du substrat à conductivité thermique élevée et du côté arrière du substrat, vers un puits de chaleur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)