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1. (WO2013055410) DOPAGE N DE SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES AU MOYEN DE COMPOSÉS À DOUBLE SANDWICH MÉTALLIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/055410    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/042287
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 13.06.2012
CIB :
H01L 51/00 (2006.01)
Déposants : GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION [US/US]; 505 Tenth Street Atlanta, GA 30332-0415 (US) (Tous Sauf US).
THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY [US/US]; One Nassau Hall Princeton, NJ 08544 (US) (Tous Sauf US).
BARLOW, Stephen [GB/US]; (US) (US Seulement).
QI, Yabing [CN/US]; (US) (US Seulement).
KAHN, Antoine [FR/US]; (US) (US Seulement).
MARDER, Seth [US/US]; (US) (US Seulement).
KIM, Sang Bok [KR/US]; (US) (US Seulement).
MOHAPATRA, Swagat K. [IN/US]; (US) (US Seulement).
GUO, Song [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BARLOW, Stephen; (US).
QI, Yabing; (US).
KAHN, Antoine; (US).
MARDER, Seth; (US).
KIM, Sang Bok; (US).
MOHAPATRA, Swagat K.; (US).
GUO, Song; (US)
Mandataire : RUTT, J. Steven; Foley & Lardner LLP 3000 K Street NW Suite 600 Washington, DC 20007 (US)
Données relatives à la priorité :
61/496,667 14.06.2011 US
Titre (EN) N-DOPING OF ORGANIC SEMICONDUCTORS BY BIS-METALLOSANDWICH COMPOUNDS
(FR) DOPAGE N DE SEMI-CONDUCTEURS ORGANIQUES AU MOYEN DE COMPOSÉS À DOUBLE SANDWICH MÉTALLIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The various inventions disclosed, described, and/or claimed herein relate to the field of methods for n-doping organic semiconductors with certain bis-metallosandwich compounds, the doped compositions produced, and the uses of the doped compositions in organic electronic devices. Metals can be manganese, rhenium, iron, ruthenium, osmium, rhodium, or iridium. Stable and efficient doping can be achieved.
(FR)Les différentes inventions contenues, décrites et/ou revendiquées dans le présent document concernent des procédés permettant le dopage n de semi-conducteurs organiques au moyen de composés à double sandwich métallique, les compositions dopées ainsi obtenues et les utilisations de ces compositions dopées dans des dispositifs électroniques organiques. Les métaux utilisés peuvent être le manganèse, le rhénium, le fer, le ruthénium, l'osmium, le rhodium ou l'iridium. Il est ainsi possible d'obtenir un dopage stable et efficace.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)