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1. (WO2013054876) DISPOSITIF DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR (CVD), PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUSCEPTEUR DANS LEQUEL UN DISPOSITIF DE CVD EST UTILISÉ ET SUSCEPTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/054876    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/076423
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 12.10.2012
CIB :
C23C 16/458 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : TOYO TANSO CO., LTD. [JP/JP]; 7-12, Takeshima 5-chome, Nishiyodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5550011 (JP)
Inventeurs : KITA, Masaaki; (JP).
KUBOTA, Takeshi; (JP).
HIRANO, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : KITADAI, Tetsuo; 7-12-5-605, Nishinakajima, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-226577 14.10.2011 JP
Titre (EN) CVD DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SUSCEPTOR IN WHICH CVD DEVICE IS USED, AND SUSCEPTOR
(FR) DISPOSITIF DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR (CVD), PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUSCEPTEUR DANS LEQUEL UN DISPOSITIF DE CVD EST UTILISÉ ET SUSCEPTEUR
(JA) CVD装置、該CVD装置を用いたサセプターの製造方法、及びサセプター
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a CVD device capable of dramatically improving the quality and productivity of a susceptor on which a coating such as SiC or TaC is formed without causing an increase in production cost or device size; a method for manufacturing a susceptor in which the CVD device is used; and a susceptor. A masking part (concave part) (20) is disposed at the center section of the reverse surface of a carbonaceous substrate (10). The masking part (20) comprises a first hole (20a) and a second hole (20b). An internal thread (21) is formed on the inner wall of the first hole (20a). An external thread (7a) of a masking jig (7) is screwed into the internal thread (21). The masking jig (7) is secured to a film-forming jig (2). The carbonaceous substrate is thereby supported in an upright orientation. Introducing a gas into the device interior in this supported state causes a coating of SiC or TaC to be formed on the surface of the carbonaceous substrate excluding recessed sections.
(FR)L'invention concerne un dispositif de CVD apte à améliorer de manière considérable la qualité et la productivité d'un suscepteur sur lequel un revêtement tel que SiC ou TaC est formé sans provoquer une augmentation en coût de production ou dimension de dispositif ; un procédé de fabrication d'un suscepteur dans lequel le dispositif de CVD est utilisé ; et un suscepteur. Une partie de masque (partie concave) (20) est disposée à la section centrale de la surface envers d'un substrat carboné (10). La partie de masque (20) comprend un premier trou (20a) et un second trou (20b). Un filetage interne (21) est formé sur la paroi interne du premier trou (20a). Un filetage externe (7a) d'un gabarit de masque (7) est vissé dans le filetage interne (21). Le gabarit de masque (7) est fixé à un gabarit de formation de film (2). Le substrat carboné est ainsi supporté dans une orientation vers le haut. L'introduction d'un gaz à l'intérieur du dispositif dans cet état supporté amène un revêtement de SiC ou de TaC à être formé sur la surface du substrat carboné à l'exclusion des sections en retrait.
(JA) 生産コストの高騰や、装置の大型化を招来することなく、SiCやTaCなどの被膜が形成されたサセプターの品質や生産性を飛躍的に向上させることができるCVD装置、該CVD装置を用いたサセプターの製造方法、及びサセプターを提供する。 炭素質基材10の裏面中央部にはマスキング部(凹部)20が配置されている。マスキング部20は、第1孔部20aと、第2孔部20bからなる。第1孔部20aの内壁には雌ネジ部21が形成されている。雌ネジ部21にはマスキング冶具7の雄ネジ部7aが螺合されている。マスキング冶具7は被膜形成用冶具2に固定される。これにより、炭素質基材は起立姿勢で支持され、この支持状態で装置内部にガスを導入することにより凹部を除く炭素質基材の表面にSiCやTaCの被膜が形成される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)