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1. (WO2013054806) ELÉMENT CÉRAMIQUE, ÉLÉMENT À UTILISER DANS UN DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT CÉRAMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/054806 N° de la demande internationale : PCT/JP2012/076176
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 10.10.2012
CIB :
C04B 35/04 (2006.01) ,C04B 35/58 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD.[JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-city, Aichi 4678530, JP
Inventeurs : WATANABE, Morimichi; JP
JINDO, Asumi; JP
KATSUDA, Yuji; JP
SATO, Yosuke; JP
ISODA, Yoshinori; JP
WATANABE, Atsushi; JP
Mandataire : ITEC INTERNATIONAL PATENT FIRM; SC Fushimi Bldg., 16-26, Nishiki 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP
Données relatives à la priorité :
2011-22385111.10.2011JP
Titre (EN) CERAMIC MEMBER, MEMBER FOR USE IN SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING CERAMIC MEMBER
(FR) ELÉMENT CÉRAMIQUE, ÉLÉMENT À UTILISER DANS UN DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT CÉRAMIQUE
(JA) セラミックス部材、半導体製造装置用部材及びセラミックス部材の製造方法
Abrégé : front page image
(EN) This ceramic member (30) is provided with: a ceramic substrate (32) having Mg (Al) O (N), in which Al and N components form a solid solution with magnesium oxide, as the principal component thereof; and an electrode (34) positioned on one section of the ceramic substrate (32) and including at least one nitride, oxide, carbonitride or metal as an electrode component thereof. This ceramic substrate (32) may be one, when measured using CuKα radiation, in which the XRD peak of the (111), (200) or (220) plane of the Mg (Al) O (N) appears between the peak of cubic magnesium oxide and the peak of cubic aluminum nitride at 2θ=36.9-39°, 42.9-44.8° and 62.3-65.2°.
(FR) L'invention concerne un élément céramique (30) qui est pourvu : d'un substrat céramique (32) ayant Mg (Al) O (N), dans lequel les composants Al et N forment une solution solide avec de l'oxyde de magnésium, comme composant principal de celui-ci; d'une électrode (34) positionnée sur une section du substrat céramique (32) et comprenant au moins un nitrure, un oxyde, un carbonitrure ou un métal comme composant d'électrode de celle-ci. Ce substrat céramique (32) peut être un substrat, lorsqu'il est mesuré à l'aide d'un rayonnement CuKα, dans lequel le pic de diffraction des rayons X (XRD) du plan (111), (200) ou (220) du Mg (Al) O (N) apparaît entre le pic de l'oxyde de magnésium cubique et le pic du nitrure d'aluminium cubique à 2θ=36,9-39°, 42,9-44,8° et 62,3-65,2°.
(JA)  本発明のセラミックス部材30は、酸化マグネシウムにAl、N成分が固溶したMg(Al)O(N)を主相とするセラミックス基体32と、セラミックス基体32の一部に配置され窒化物、炭化物、炭窒化物及び金属のいずれか1以上を電極成分として含む電極34とを備えている。このセラミックス基体32は、CuKα線を用いたときの記Mg(Al)O(N)の(111)面、又は(200)面、又は(220)面のXRDピークがそれぞれ酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である2θ=36.9~39°、42.9~44.8°、62.3~65.2°に現れるものとしてもよい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)