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1. (WO2013054803) COMPOSITION DE FORMATION DE MOTIF FIN DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/054803    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/076167
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 10.10.2012
CIB :
G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : AZ ELECTRONIC MATERIALS IP (JAPAN) K.K. [JP/JP]; Bunkyo Green Court, 28-8, Honkomagome 2-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130021 (JP) (AE, AG, AM, AO, AU, AZ, BA, BB, BF, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, DM, DO, DZ, EC, EG, GA, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GT, GW, HN, ID, IL, IN, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LY, MA, MD, ME, MG, ML, MN, MR, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, RU, SC, SD, SG, SL, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
AZ ELECTRONIC MATERIALS USA CORP. [US/US]; 70 Meister Avenue, Somerville, New Jersey 08876 (US) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR only).
OKAYASU Tetsuo [JP/JP]; (JP) (US only).
SEKITO Takashi [JP/JP]; (JP) (US only).
ISHII Masahiro [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : OKAYASU Tetsuo; (JP).
SEKITO Takashi; (JP).
ISHII Masahiro; (JP)
Mandataire : KATSUNUMA Hirohito; Kyowa Patent & Law Office, Nippon Life Marunouchi Building, Marunouchi 1-6-6, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-224030 11.10.2011 JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR FORMING FINE RESIST PATTERN AND PATTERN FORMING METHOD USING SAME
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE MOTIF FIN DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF L'UTILISANT
(JA) 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide: a composition which is capable of forming a fine negative photoresist pattern that is free from defects such as rough surface, bridge defect and un-resolved pattern; and a pattern forming method using the composition. [Solution] A composition for forming a fine pattern, which is used for the purpose of miniaturizing a pattern by thickening a resist pattern in a method for forming a negative resist pattern using a chemically amplified resist composition, and which is characterized by containing a solvent and a polymer that has a structure represented by formula (A), (B) or (C) in a repeating unit. A fine pattern is formed by applying the composition to a negative photoresist pattern, which is obtained by development using an organic solvent developer, and heating the resulting negative photoresist pattern.
(FR)La présente invention vise à obtenir : une composition qui est apte à former un motif fin négatif de résine photosensible qui est exempt de défauts tels qu'une surface rugueuse, un défaut de pont et un motif non résolu; et un procédé de formation de motif utilisant la composition. A cet effet, la présente invention porte sur une composition de formation de motif fin, qui est utilisée dans le but de miniaturiser un motif par épaississement d'un motif de résine photosensible dans un procédé de formation de motif négatif de résine photosensible utilisant une composition de résine photosensible chimiquement amplifiée et qui est caractérisé en ce qu'il contient un solvant et un polymère qui a une structure représentée par la formule (A), (B) ou (C) dans une unité répétitive. Un motif fin est formé par application de la composition à un motif négatif de résine photosensible, qui est obtenu par développement à l'aide d'un développeur à base de solvant organique, et chauffage du motif négatif de résine photosensible résultant.
(JA)[課題]表面荒れ、ブリッジ欠陥、または未解像などの不具合が無い、微細なネガ型フォトレジストパターンを形成できる組成物と、それを用いたパターン形成方法の提供。 [解決手段]化学増幅型レジスト組成物を用いてネガ型レジストパターンを形成させる方法において、レジストパターンを太らせることによってパターンを微細化するために用いられる微細パターン形成用組成物であって、繰り返し単位中に、 式(A)、(B)、(C) のいずれかの構造を含むポリマーと、溶剤とを含んでなる組成物。有機溶剤現像液で現像して得られるネガ型フォトレジストパターンにその組成物を塗布し、加熱することによって、微細なパターンを形成させる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)