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1. (WO2013054663) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/054663    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/075041
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 28.09.2012
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/374 (2011.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : YAMAGUCHI Tetsuji; (JP)
Mandataire : INAMOTO Yoshio; Nishishinjukukimuraya Building 9F, 5-25, Nishi-Shinjuku 7-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-223856 11.10.2011 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 固体撮像装置、撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)The present technology relates to a solid-state imaging device and an imaging device for which color separation is excellent and which can provide a solid-state imaging device having high sensitivity. The solid-state imaging device includes: a semiconductor layer (11) a front surface side of which forms a circuit forming surface; two or more layers of photoelectric conversion parts (PD1, PD2) formed by lamination within the semiconductor layer (11); and a vertical transistor (Tr1) formed by having a gate electrode (21) embedded inside from a surface (15) of the semiconductor layer (11). The solid-state imaging device is constituted such that one of the two or more layers of photoelectric conversion parts (PD1) is formed up to an embedded part (21A) of the gate electrode (21) of the vertical transistor (Tr1) in the semiconductor layer (11) and connected to a channel formed by the vertical transistor (Tr1).
(FR)La présente invention porte sur un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs et un dispositif d'imagerie pour lesquels la séparation des couleurs est excellente et qui peuvent offrir un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs ayant une haute sensibilité. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs comprend : une couche de semi-conducteur (11) dont un côté surface avant forme une surface de formation de circuit ; au moins deux couches de parties de conversion photoélectrique (PD1, PD2) formées par stratification à l'intérieur de la couche de semi-conducteur (11) ; et un transistor vertical (Tr1) formé en ayant une électrode de grille (21) incorporée à l'intérieur depuis une surface (15) de la couche de semi-conducteur (11). Le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs est constitué de telle manière que l'une des au moins deux couches de parties de conversion photoélectrique (PD1) est formée jusqu'à une partie incorporée (21A) de l'électrode de grille (21) du transistor vertical (Tr1) dans la couche de semi-conducteur (11) et connectée à un canal formé par le transistor vertical (Tr1).
(JA)本技術は、色分離が良好であり、かつ、高い感度を有する固体撮像装置を提供することができるようにする固体撮像装置、撮像装置に関する。 表面側が回路形成面とされた半導体層11と、半導体層11内に積層されて形成された2層以上の光電変換部PD1,PD2と、ゲート電極21が半導体層11の表面15から内部に埋め込まれて形成された、縦型トランジスタTr1とを含み、2層以上のうちの1層の光電変換部PD1は、縦型トランジスタTr1のゲート電極21の半導体層11に埋め込まれた部分21Aにまでわたって形成され、縦型トランジスタTr1によって形成されるチャネルに接続されている固体撮像装置を構成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)