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1. (WO2013054614) TRANSDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/054614    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/072489
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 04.09.2012
CIB :
H02N 11/00 (2006.01)
Déposants : TOKAI RUBBER INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1, Higashi 3-chome, Komaki-shi, Aichi 4858550 (JP) (Tous Sauf US).
TAKAMATSU Shigeaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUMAGAI Shinji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOKUBO Yota [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKAMATSU Shigeaki; (JP).
KUMAGAI Shinji; (JP).
KOKUBO Yota; (JP)
Mandataire : HIGASHIGUCHI Michiaki; HIGASHIGUCHI PATENT LAW FIRM, Room 402, SGNagoyaeki Bldg., 4-4-19, Noritakeshinmachi, Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4510051 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-223959 11.10.2011 JP
2012-066985 23.03.2012 JP
Titre (EN) TRANSDUCER
(FR) TRANSDUCTEUR
(JA) トランスデューサ
Abrégé : front page image
(EN)This transducer (1) is provided with a high-resistivity layer (10) which contains elastomers and has a volume resistivity of 1012 Ω⋅cm or greater, a pair of electrodes (30a, 30b) which are arranged on both the front and back sides of the high-resistivity layer (10) and which contain a binder and a conductive material, and a medium-resistivity layer (20) which is interposed between the high-resistivity layer (10) and the electrode (30a) on the front and/or back of the high-resistivity layer (10), which contains elastomers and has a volume resistivity at least two orders of magnitude smaller than that of the high-resistivity layer (10). In this transducer (1), by interposing the medium-resistivity layer (10) between at least one (30a) of the electrodes and the high-resistivity layer (10) and making use of the insulation breakdown resistance inherent to the high-resistivity layer (10), greater voltages can be applied and more power can be obtained.
(FR)La présente invention porte sur un transducteur (1) qui comporte une couche de résistivité élevée (10) qui contient des élastomères et a une résistivité volumique de 1012Ω⋅ cm ou supérieure, une paire d'électrodes (30a, 30b) qui sont agencées sur à la fois les côtés avant et arrière de la couche de résistivité élevée (10) et qui contiennent un liant et une matière conductrice, et une couche de résistivité intermédiaire (20) qui est interposée entre la couche de résistivité élevée (10) et l'électrode (30a) sur l'avant et/ou l'arrière de la couche de résistivité élevée (10), qui contient des élastomères et a une résistivité volumique d'au moins deux ordres de grandeur plus petits que celle de la couche de résistivité élevée (10). Dans ce transducteur (1), par interposition de la couche de résistivité intermédiaire (10) entre au moins l'une (30a) des électrodes et la couche de résistivité élevée (10) et réalisation de l'utilisation de la résistance au claquage d'isolation inhérente à la couche de résistivité élevée (10), des tensions supérieures peuvent être appliquées et plus de puissance peut être obtenue.
(JA) トランスデューサ1は、エラストマーを含み体積抵抗率が1012Ω・cm以上の高抵抗層10と、高抵抗層10の表裏両側に配置され、バインダーおよび導電材を含む一対の電極30a、30bと、高抵抗層10の表裏少なくとも一方において電極30aと高抵抗層10との間に介装され、エラストマーを含み高抵抗層10よりも体積抵抗率が2桁以上小さい中抵抗層20と、を備える。トランスデューサ1によると、少なくとも一方の電極30aと高抵抗層10との間に中抵抗層20を介装し、高抵抗層10が本来有する耐絶縁破壊性を生かすことにより、より大きな電圧を印加して、より大きな力を得ることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)