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1. (WO2013054431) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET APPAREIL D'ALIMENTATION ÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/054431    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/073607
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 14.10.2011
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
OKAMOTO, Naoya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKAMOTO, Naoya; (JP)
Mandataire : SANADA, Tamotsu; NOF Kichijoji-honcho Bldg. 5th Floor, 10-31, Kichijoji-honcho 1-chome, Musashino-shi, Tokyo 1800004 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND POWER SUPPLY APPARATUS
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET APPAREIL D'ALIMENTATION ÉLECTRIQUE
(JA) 半導体装置及びその製造方法、電源装置
Abrégé : front page image
(EN)This semiconductor device is provided with a drift layer (2) that has a structure having laminated therein a plurality of quantum dot layers (8), each of which is provided with a quantum dot (6) containing InxGa1-xN (0≤x≤1), and an embedding layer (7), which has the quantum dot embedded therein, and contains n-type Inx(GayAl1-y)1-xN (0≤x≤1, 0≤y≤1).
(FR)La présente invention porte sur un dispositif semi-conducteur qui comporte une couche de dérive (2) qui a une structure ayant, stratifiées dans celle-ci, une pluralité de couches de point quantique (8), comportant chacune un point quantique (6) contenant InxGa1-xN (0≤x≤1), et une couche d'intégration (7), qui a le point quantique intégré dans celle-ci et contient Inx(GayAl1-y)1-xN de type n (0≤x≤1, 0≤y≤1).
(JA) 半導体装置を、InGa1-xN(0≦x≦1)を含む量子ドット(6)と、量子ドットを埋め込み、n型In(GaAl1-y1-xN(0≦x≦1、0≦y≦1)を含む埋込層(7)とを備える量子ドット層(8)を複数積層させた構造を有するドリフト層(2)を備えるものとする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)