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1. (WO2013054098) PROCÉDÉ DE FIXATION DE CLOISONS DE DOMAINE DANS UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE À NANOFILS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/054098 N° de la demande internationale : PCT/GB2012/052493
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 08.10.2012
CIB :
G11C 19/08 (2006.01) ,G11C 11/14 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF YORK[GB/GB]; Heslington York Yorkshire YO10 5DD, GB
Inventeurs : O'GRADY, Kevin; GB
VALLEJO FERNANDEZ, Gonzalo; GB
HIROHATA, Atsufumi; GB
Mandataire : NASH MATTHEWS; 90-92 Regent Street Cambridge Cambridgeshire CB2 1DP, GB
Données relatives à la priorité :
1117446.310.10.2011GB
Titre (EN) METHOD OF PINNING DOMAIN WALLS IN A NANOWIRE MAGNETIC MEMORY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FIXATION DE CLOISONS DE DOMAINE DANS UN DISPOSITIF DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE À NANOFILS
Abrégé : front page image
(EN) There is provided a method of pinning domain walls in a magnetic memory device (10) comprising using an antiferromagnetic material to create domain wall pinning sites. Junctions (22) where arrays of ferromagnetic nanowires (16) and antiferromagnetic nanowires (20) cross exhibit a permanent exchange bias interaction between the ferromagnetic material and the antiferromagnetic material which creates domain wall pinning sites. The exchange bias field is between 30 to 3600Oe and the anisotropy direction of the ferromagnetic elements is between 15 to 75° to an anisotropy direction of the antiferromagnetic elements.
(FR) L'invention concerne un procédé de fixation de cloisons de domaine dans un dispositif de mémoire magnétique (10) qui comprend l'utilisation d'un matériau antiferromagnétique afin de créer des sites de fixation de cloison de domaine. Des jonctions (22), dans lesquelles des réseaux de nanofils ferromagnétiques (16) et des nanofils antiferromagnétiques (20) se croisent, présentent une interaction de polarisation d'échange permanente entre le matériau ferromagnétique et le matériau antiferromagnétique, ce qui crée des sites de fixation de cloisons de domaine. Le champ de polarisation d'échange est compris entre 30 et 3600Oe et la direction anisotrope des éléments ferromagnétiques réalise un angle compris entre 15° et 75° par rapport à une direction anisotrope des éléments antiferromagnétiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)