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1. (WO2013054033) CELLULE MONOLITHIQUE DE CIRCUIT INTEGRE ET NOTAMMENT CELLULE DE COMMUTATION MONOLITHIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/054033    N° de la demande internationale :    PCT/FR2012/052288
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 09.10.2012
CIB :
H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/082 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01)
Déposants : CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) [FR/FR]; 3, rue Michel Ange F-75016 Paris (FR).
INSTITUT NATIONAL POLYTECHNIQUE DE TOULOUSE (I.N.P.T) [FR/FR]; 6 allée Emile MONSO B.P. 34038 F-31029 Toulouse Cedex 4 (FR)
Inventeurs : BOURENNANE, Abdelhakim; (FR).
BREIL-DUPUY, Marie; (FR).
RICHARDEAU, Frédéric; (FR).
SANCHEZ, Jean-Louis; (FR)
Mandataire : SANTARELLI; B.P. 237 - 14 avenue de la Grande-Armée F-75822 Paris Cedex 17 (FR)
Données relatives à la priorité :
1159137 10.10.2011 FR
Titre (EN) MONOLITHIC CELL FOR AN INTEGRATED CIRCUIT AND ESPECIALLY A MONOLITHIC SWITCHING CELL
(FR) CELLULE MONOLITHIQUE DE CIRCUIT INTEGRE ET NOTAMMENT CELLULE DE COMMUTATION MONOLITHIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A cell according to the present invention comprises at least two semiconductor structures of the same nature, these two structures both employing voltages and currents that are unidirectional, each structure having an anode (10), a cathode (14) and optionally a gate (16). The structures are integrated into the volume of one and the same semiconductor substrate (4). The cathodes (14), and possibly the gates (16), are arranged on a first side of the semiconductor substrate (4). The anodes (10) are each arranged on a second side of the semiconductor substrate (4), which side is opposite the first side, facing the cathodes and possibly the corresponding gates. Two electrodes, anodes or cathodes, of two separate structures, are electrically connected to each other.
(FR)Une cellule selon la présente invention comporte au moins deux structures de même nature à semi-conducteur unidirectionnelles en tension et en courant, chaque structure présentant une anode (10), une cathode (14) et éventuellement une grille (16). Les structures sont intégrées dans le volume d'un même substrat (4) semi-conducteur. Sur une première face du substrat (4) semi-conducteur sont localisées les cathodes (14) et éventuellement les grilles (16). Les anodes (10) sont localisées chacune sur une seconde face du substrat (4) semi-conducteur opposée à la première face en vis-à-vis des cathodes et éventuellement des grilles correspondantes. Deux électrodes, anodes ou cathodes, de deux structures distinctes sont reliées électriquement l'une à l'autre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)