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1. (WO2013054024) PROCEDE DE DETECTION DE L'INTERACTION D'AU MOINS UNE ENTITE AVEC UNE COUCHE DIELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/054024    N° de la demande internationale :    PCT/FR2012/052274
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 08.10.2012
CIB :
G01N 21/64 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITE CLAUDE BERNARD LYON I [FR/FR]; 43 Boulevard du 11 Novembre 1918 F-69622 Villeurbanne Cedex (FR).
ECOLE CENTRALE DE LYON [FR/FR]; 36, Avenue Guy de Collongue B.P. 163 F-69134 Ecully Cedex (FR).
INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUEES DE LYON [FR/FR]; 20, Avenue Albert Einstein F-69621 Villeurbanne Cedex (FR).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3 Rue Michel Ange F-75794 Paris Cedex 16 (FR).
INSERM (INSTITUT NATIONAL DE LA SANTE ET DE LA RECHERCHE MEDICALE) [FR/FR]; 101 Rue de Tolbiac F-75654 Paris Cedex 13 (FR)
Inventeurs : NICHIPORUK, Tetyana; (FR).
SERDIUK, Tetiana; (FR).
LYSENKO, Volodymyr; (FR).
ZAKHARKO, Yuriy; (FR).
GELOEN, Alain; (FR).
LEMITI, Mustapha; (FR)
Mandataire : SARLIN, Laure; Cabinet BEAU DE LOMENIE 51 Avenue Jean Jaures BP7073 F-69301 Lyon Cedex 07 (FR)
Données relatives à la priorité :
1159174 11.10.2011 FR
Titre (EN) METHOD FOR DETECTING THE INTERACTION OF AT LEAST ONE ENTITY WITH A DIELECTRIC LAYER
(FR) PROCEDE DE DETECTION DE L'INTERACTION D'AU MOINS UNE ENTITE AVEC UNE COUCHE DIELECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for detecting the interaction of at least one entity with a dielectric layer containing various electronic levels in the energy band gap of the dielectric layer, in which: a) the entity is deposited on the dielectric layer; b) the entity and the dielectric layer on which said entity is deposited are subjected to energising electromagnetic radiation, which does not take any observable luminosity from the actual entity, under the conditions implemented in step c); and c) the luminescence of the dielectric layer, in which the radiating and non-radiating electron transitions between the energy levels in the band gap have been influenced following the interaction thereof with the entity, is detected.
(FR)L'invention concerne un procédé de détection de l'interaction d'au moins une entité avec une couche diélectrique contenant différents niveaux électroniques dans la bande d'énergie interdite de la couche diélectrique, dans lequel : a) l'entité est déposée sur la couche diélectrique, b) la couche diélectrique et l'entité sur laquelle elle est déposée sont soumises à une radiation électromagnétique excitatrice qui n'entraine pas de luminescence observable de l'entité elle-même, dans les conditions mises en œuvre à l'étape c) et c) la luminescence de la couche diélectrique, dont les transitions électroniques radiatives et non-radiatives entre les niveaux énergétiques dans la bande interdite ont été influencées suite à son interaction avec l'entité, est détectée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)