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1. (WO2013053419) PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UNE LIAISON ENTRE DES CORPS MOULÉS MÉTALLIQUES ET UNE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE, QUI SONT DESTINÉS À ÊTRE RELIÉS À DE GROS FILS OU DES BANDELETTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/053419    N° de la demande internationale :    PCT/EP2012/003786
Date de publication : 18.04.2013 Date de dépôt international : 10.09.2012
CIB :
H01L 21/683 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01)
Déposants : DANFOSS SILICON POWER GMBH [DE/DE]; Heinrich-Hertz-Strasse 2 24837 Schleswig (DE) (Tous Sauf US).
BECKER, Martin [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
EISELE, Ronald [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
OSTERWALD, Frank [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
RUDZKI, Jacek [PL/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BECKER, Martin; (DE).
EISELE, Ronald; (DE).
OSTERWALD, Frank; (DE).
RUDZKI, Jacek; (DE)
Mandataire : DANFOSS A/S; Global Services - Intellectual Property Nordborgvej 81, L25 DK-6430 Nordborg (DK)
Données relatives à la priorité :
10 2011 115 886.7 15.10.2011 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR SCHAFFUNG EINER VERBINDUNG ZWISCHEN METALLISCHEN FORMKÖPERN UND EINEM LEISTUNGSHALBLEITERCHIP, DIE ZUR VERBINDUNG MIT DICKDRÄHTEN ODER BÄNDCHEN DIENEN
(EN) METHOD FOR PROVIDING A CONNECTION BETWEEN METAL MOULDED BODIES AND A POWER SEMI-CONDUCTOR WHICH IS USED TO JOIN THICK WIRES OR STRIPS
(FR) PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UNE LIAISON ENTRE DES CORPS MOULÉS MÉTALLIQUES ET UNE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE, QUI SONT DESTINÉS À ÊTRE RELIÉS À DE GROS FILS OU DES BANDELETTES
Abrégé : front page image
(DE)Verfahren zur Schaffung einer Verbindung eines Leistungshalbleiterchips mit oberseitigen Potentialflächen zu Dickdrähten oder Bändchen mit den Schritten : Bereitstellen eines der Formgebung der oberseitigen Potentialflächen entsprechenden metallischen Formkörpers, Aufbringen einer Verbindungsschicht auf die oberseitigen Potentialflächen oder den metallischen Formkörper, und Aufbringen des metallischen Formkörpers und Fügen einer stoffschlüssigen, elektrisch leitenden Verbindung mit den Potentialflächen vor einem Dickdraht- Bonden auf der nicht gefügten Oberseite des Formkörpers.
(EN)The invention relates to a method for connecting a power semi-conductor chip having upper-sided potential surfaces to thick wires or strips, consisting of the following steps: Providing a metal moulded body corresponding to the shape of the upper-sided potential surfaces, applying a connecting layer to the upper-sided potential surfaces or to the metal moulded bodies, and applying the metal moulded bodies and adding a material fit, electrically conductive compound to the potential surfaces prior to the joining of the thick wire bonds to the non-added upper side of the moulded body.
(FR)Procédé de réalisation d'une liaison entre une puce de semi-conducteur de puissance dotée de surfaces de potentiel et des gros fils ou des bandelettes, comprenant les étapes suivantes : recours à un corps moulé métallique correspondant à la forme des surfaces de potentiel supérieures, application d'une couche de liaison sur les surfaces de potentiel supérieures ou le corps moulé métallique, et application du corps moulé métallique et ajout d'une liaison électroconductrice, par liaison de matière, avec les surfaces de potentiel avant la liaison de gros fils sur la surface supérieure dépourvue d'ajout du corps moulé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)