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1. (WO2013052935) COUCHE D'ARRÊT DE GRAVURE LATÉRALE POUR GRAVURE DE LIBÉRATION DE NEMS POUR INTÉGRATION MONOLITHIQUE NEMS/CMOS À HAUTE DENSITÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/052935    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/059152
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 06.10.2012
CIB :
H01L 29/66 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; 1 New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
CHANG, Josephine, B [US/US]; (US) (US only).
CHANG, Leland [US/US]; (US) (US only).
ENGELMANN, Sebastian, U. [DE/US]; (US) (US only).
GUILLORN, Michael, A. [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : CHANG, Josephine, B; (US).
CHANG, Leland; (US).
ENGELMANN, Sebastian, U.; (US).
GUILLORN, Michael, A.; (US)
Mandataire : TUCHMAN, Ido; Law Office of Ido Tuchman 82-70 Beverly Road Kew Gardens, NY 11415 (US)
Données relatives à la priorité :
13/269,552 07.10.2011 US
Titre (EN) LATERAL ETCH STOP FOR NEMS RELEASE ETCH FOR HIGH DENSITY NEMS/CMOS MONOLITHIC INTEGRATION
(FR) COUCHE D'ARRÊT DE GRAVURE LATÉRALE POUR GRAVURE DE LIBÉRATION DE NEMS POUR INTÉGRATION MONOLITHIQUE NEMS/CMOS À HAUTE DENSITÉ
Abrégé : front page image
(EN)Structure and method for fabricating a barrier layer that separates an electromechanical device and a CMOS device on a substrate. An example structure includes a protective layer encapsulating the electromechanical device, where the barrier layer may withstand an etch process capable of removing the protective layer, but not the barrier layer. The substrate may be silicon-on-insulator or a multilayer wafer substrate. The electromechanical device may be a microelectromechanical system (MEMS) or a nanoelectromechanical system (NEMS).
(FR)L'invention porte sur une structure et un procédé pour fabriquer une couche barrière qui sépare un dispositif électromécanique et un dispositif CMOS sur un substrat. Une structure à titre d'exemple comprend une couche protectrice encapsulant le dispositif électromécanique, la couche barrière pouvant supporter un processus de gravure apte à retirer la couche protectrice, mais pas la couche barrière. Le substrat peut être une structure silicium sur isolant ou un substrat de plaquette multicouche. Le dispositif électromécanique peut être un microsystème électromécanique (MEMS) ou un nanosystème électromécanique (NEMS).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)