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1. (WO2013052713) SOURCE DE PLASMA HYBRIDE INDUCTIF/CAPACITIF ET SYSTÈME COMPRENANT UNE TELLE CHAMBRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/052713 N° de la demande internationale : PCT/US2012/058819
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 04.10.2012
CIB :
H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : CHO, Young, Kyu[KR/US]; US
TAN, Kenneth[US/US]; US
JANAKIRAMAN, Karthik[IN/US]; US
HUANG, Judy[US/US]; US
INTEVAC, INC.[US/US]; 3560 Bassett Street Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs : CHO, Young, Kyu; US
TAN, Kenneth; US
JANAKIRAMAN, Karthik; US
HUANG, Judy; US
Mandataire : BACH, Joseph; Nixon Peabody LLP 401 9th Street, N.W. Suite 900 Washington, DC 20004, US
Données relatives à la priorité :
61/543,74905.10.2011US
Titre (EN) INDUCTIVE/CAPACITIVE HYBRID PLASMA SOURCE AND SYSTEM WITH SUCH CHAMBER
(FR) SOURCE DE PLASMA HYBRIDE INDUCTIF/CAPACITIF ET SYSTÈME COMPRENANT UNE TELLE CHAMBRE
Abrégé : front page image
(EN) A plasma processing chamber having capacitive and inductive coupling of RF power. An RF power source is connected to an inductive coil and to a top electrode via a variable capacitor to control the ratio of power applied to the coil and electrode. The bottom electrode, which is part of the chuck holding the substrates, is floating, but has parasitive capacitance coupling to ground. No RF bias is applied to the chuck and/or the substrate, but the substrate is chucked using DC power. In a system utilizing the chamber, the chuck is movable and is loaded with substrates outside the chamber, enter the chamber from one side for processing, exit the chamber from an opposite side after the processing, and is unloaded in an unloading chamber. The chuck is then transported back to the loading chamber. Substrates are delivered to and removed from the system using conveyor belts.
(FR) L'invention porte sur une chambre de traitement au plasma ayant un couplage capacitif et inductif de puissance RF. Une source de puissance RF est connectée à une bobine d'induction et à une électrode supérieure par l'intermédiaire d'un condensateur variable afin de commander le rapport des puissances appliquées à la bobine et à l'électrode. L'électrode inférieure, qui fait partie du mandrin tenant les substrats, est flottante, mais a un couplage capacitif parasite à la masse. Aucune polarisation RF n'est appliquée au mandrin ni au substrat, mais le substrat est tenu par le mandrin au moyen d'une alimentation en courant continu. Dans un système utilisant la chambre, le mandrin est mobile et est chargé avec des substrats à l'extérieur de la chambre, entre dans la chambre par un côté pour un traitement, sort de la chambre par le côté opposé après le traitement, et est déchargé dans une chambre de déchargement. Le mandrin est ensuite de nouveau transporté jusqu'à la chambre de chargement. Des substrats sont délivrés au système et en sont retirés au moyen de bandes transporteuses.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)