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1. (WO2013052688) MÉMOIRE ÉCONOME EN ÉNERGIE AVEC DÉCODAGE RECONFIGURABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/052688    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/058784
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 04.10.2012
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.08.2013    
CIB :
G11C 5/02 (2006.01), G11C 15/04 (2006.01), G06F 12/08 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US)
Inventeurs : RAO, Hari M.; (US)
Mandataire : TALPALATSKY, Sam; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US)
Données relatives à la priorité :
61/542,861 04.10.2011 US
13/357,492 24.01.2012 US
Titre (EN) ENERGY EFFICIENT MEMORY WITH RECONFIGURABLE DECODING
(FR) MÉMOIRE ÉCONOME EN ÉNERGIE AVEC DÉCODAGE RECONFIGURABLE
Abrégé : front page image
(EN)An additional memory bank (214) is added to a block of regular banks (206) in a memory to reduce dynamic power consumption of the memory. The additional bank is accessed by a set of bit lines (216) that is substantially shorter than corresponding bit lines (210) extending through all of the regular memory banks. Memory read (308) and write (306) operations, which are addressed to one of the regular banks (206), are deliberately redirected to the additional bank (214) having the short bit lines (216). Tracking circuitry (220, 222) identifies the regular bank that was addressed for each location in the additional bank. Data is moved from the additional bank to a regular bank (334) only when a new write operation (306) does not match (330) the bank of the previous write operation. Dynamic power is reduced because locality of reference causes access to the additional bank (214) without having to access a regular bank (206) for most memory read and write operations.
(FR)L'invention concerne l'ajout d'un banc (214) de mémoire supplémentaire à un bloc de bancs ordinaires (206) dans une mémoire pour réduire la consommation de puissance dynamique de la mémoire. L'accès au banc supplémentaire se fait par un ensemble de lignes (216) de bits qui est sensiblement plus court que des lignes (210) de bits correspondantes s'étendant à travers la totalité des bancs ordinaires de mémoire. Les opérations de lecture (308) et d'écriture (306) dans la mémoire, qui sont adressées à un des bancs ordinaires (206), sont délibérément redirigées vers le banc supplémentaire (214) doté des lignes (216) de bits courtes. Une circuiterie (220, 222) de suivi identifie le banc ordinaire qui était adressé pour chaque emplacement du banc supplémentaire. Des données ne sont déplacées du banc supplémentaire à un banc ordinaire (334) que lorsqu'une nouvelle opération (306) d'écriture ne correspond pas (330) au banc de l'opération d'écriture précédente. La puissance dynamique est réduite car la localité de référence provoque l'accès au banc supplémentaire (214) sans qu'il soit nécessaire d'accéder à un banc ordinaire (206) pour la plupart des opérations de lecture et d'écriture mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)