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1. (WO2013052679) INTÉGRATION 3D MONOLITHIQUE UTILISANT DU GRAPHÈNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/052679 N° de la demande internationale : PCT/US2012/058773
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 04.10.2012
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 05.08.2013
CIB :
H01L 21/8258 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 29/16 (2006.01) ,H01L 27/092 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED[US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121, US
Inventeurs : GU, Shiqun; US
DU, Yang; US
Mandataire : GALLARDO, Michelle S.; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121, US
Données relatives à la priorité :
61/542,84304.10.2011US
Titre (EN) MONOLITHIC 3-D INTEGRATION USING GRAPHENE
(FR) INTÉGRATION 3D MONOLITHIQUE UTILISANT DU GRAPHÈNE
Abrégé : front page image
(EN) A monolithic three dimensional integrated circuit device includes a first layer having first active devices. The monolithic three dimension al integrated circuit device also includes a second layer (514) having second active devices that each include a graphene portion. The second layer can be fabricated on the first layer to form a stack of active devices. A base substrate may support the stack of active devices.
(FR) L'invention se rapporte à un dispositif de circuit intégré monolithique en trois dimensions qui comprend une première couche comportant des premiers dispositifs actifs. Ce dispositif de circuit intégré monolithique en trois dimensions comprend également une seconde couche (514) comportant des seconds dispositifs actifs qui possèdent chacun une partie en graphène. La seconde couche peut être fabriquée sur la première de manière à former une pile de dispositifs actifs. Un substrat de base peut porter la pile de dispositifs actifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)