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1. (WO2013052342) ÉLÉMENT D'INTERPOSITION POUR ESD, EMI ET EMC
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/052342    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/057529
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 27.09.2012
CIB :
H01L 23/52 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; c/o IP Law Department New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : BERNIER, William, E.; (US).
DANG, Bing; (US).
INTERRANTE, Mario, J.; (US).
KNICKERBOCKER, John, U.; (US).
TRAN, Son, K.; (US)
Mandataire : EICHELBURG, Robert J.; The Law Office of Robert J. Eichelburg Hodafel Bldg, Suite 200 196 Acton Road Annapolis, MD 21403 (US)
Données relatives à la priorité :
13/251,987 03.10.2011 US
Titre (EN) INTERPOSER FOR ESD, EMI, AND EMC
(FR) ÉLÉMENT D'INTERPOSITION POUR ESD, EMI ET EMC
Abrégé : front page image
(EN)A interposer sandwich structure comprises a top interposer and a bottom interposer enclosing an integrated circuit electronic device that includes means for attaching the device to the bottom interposer, and an interconnection structure connecting the top interposer to the bottom interposer. The top interposer may also be directly connected to a chip carrier in addition to the bottom interposer. The structure provides shielding and protection of the device against Electrostatic Discharge (ESD), Electromagnetic Interference (EMI), and Electromagnetic Conductivity (EMC) in miniaturized 3D packaging.
(FR)L'invention porte sur une structure sandwich d'éléments d'interposition qui comporte un élément d'interposition supérieur et un élément d'interposition inférieur entourant un dispositif électronique à circuits intégrés qui comprend un moyen pour attacher le dispositif à l'élément d'interposition inférieur, et une structure d'interconnexion connectant l'élément d'interposition supérieur à l'élément d'interposition inférieur. L'élément d'interposition supérieur peut également être directement connecté à un support de puce en plus de l'élément d'interposition inférieur. La structure assure un blindage et une protection du dispositif contre une décharge électrostatique (ESD), des perturbations électromagnétiques (EMI) et une conductivité électromagnétique (EMC) dans un conditionnement en 3D miniaturisé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)