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1. WO2013052262 - COMMANDE DE PARTICULES DANS DES SYSTÈMES DE TRAITEMENT LASER

Numéro de publication WO/2013/052262
Date de publication 11.04.2013
N° de la demande internationale PCT/US2012/055581
Date du dépôt international 14.09.2012
CIB
H01L 21/268 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263par des radiations d'énergie élevée
268les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
H01L 21/324 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
CPC
B23K 26/127
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
12in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
127in an enclosure
B23K 26/142
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
14using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
142for the removal of by-products
B23K 26/1464
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
14using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
1462Nozzles; Features related to nozzles
1464Supply to, or discharge from, nozzles of media, e.g. gas, powder, wire
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • HUNTER, Aaron Muir [US]/[US] (UsOnly)
  • BEHDJAT, Mehran [US]/[US] (UsOnly)
  • ADAMS, Bruce E. [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • HUNTER, Aaron Muir
  • BEHDJAT, Mehran
  • ADAMS, Bruce E.
Mandataires
  • PATTERSON, B. Todd
Données relatives à la priorité
61/543,76305.10.2011US
61/599,33615.02.2012US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PARTICLE CONTROL IN LASER PROCESSING SYSTEMS
(FR) COMMANDE DE PARTICULES DANS DES SYSTÈMES DE TRAITEMENT LASER
Abrégé
(EN) The present invention generally relates to a laser processing systems for thermally processing substrates. The laser processing systems include a shield disposed between an energy source of the laser processing system and a substrate which is to be thermally processed. The shield includes an optically transparent window disposed adjacent to a cavity within the shield. The optically transparent window allows annealing energy to pass therethrough and to illuminate the substrate. The shield also includes one or more gas inlets and one or more gas outlets for introducing and removing a purge gas from the cavity within the shield. The purge gas is utilized to remove volatized or ablated components during thermal processing, and to provide a gas of predetermined composition, such as oxygen-free, to the thermally processed area.
(FR) La présente invention concerne généralement des systèmes de traitement laser pour traiter thermiquement des substrats. Les systèmes de traitement laser comprennent un écran disposé entre une source d'énergie du système de traitement laser et un substrat qui est à traiter thermiquement. L'écran comprend une fenêtre optiquement transparente disposée adjacente à une cavité dans l'écran. La fenêtre optiquement transparente permet à une énergie de recuit de passer à travers celle-ci et d'éclairer le substrat. L'écran comprend également une ou plusieurs entrées de gaz et une ou plusieurs sorties de gaz pour introduire et retirer un gaz de purge de la cavité dans l'écran. Le gaz de purge est utilisé pour retirer des composants volatilisés ou ayant subi une ablation durant un traitement thermique, et pour fournir un gaz de composition prédéterminée, tel qu'exempt d'oxygène, à la zone traitée thermiquement.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international