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1. (WO2013052235) DISPOSITIF CAPTEUR DE PRESSION DIFFÉRENTIELLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/052235    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/054209
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 07.09.2012
CIB :
G01L 9/00 (2006.01), G01L 13/02 (2006.01), G01L 19/14 (2006.01)
Déposants : CONTINENTAL AUTOMOTIVE SYSTEMS, INC. [US/US]; One Continental Drive Auburn Hills, Michigan 48326 (US) (Tous Sauf US).
CHIOU, Jen-Huang Albert [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHIOU, Jen-Huang Albert; (US)
Mandataire : KLEIN, William; 21440 W. Lake Cook Road Deer Park, Illinois 60010 (US)
Données relatives à la priorité :
13/267,965 07.10.2011 US
Titre (EN) DIFFERENTIAL PRESSURE SENSOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF CAPTEUR DE PRESSION DIFFÉRENTIELLE
Abrégé : front page image
(EN)A MEMS differential pressure sensing element is provided by two separate silicon dies attached to opposite sides of a silicon or glass spacer. The spacer is hollow. If the spacer is silicon, the dies are preferably attached to the hollow spacer using silicon-to-silicon bonding provided in part by silicon oxide layers. If the spacer is glass, the dies can be attached to the hollow spacer using anodic bonding. Conductive vias extend through the layers and provide electrical connections between Wheatstone bridge circuits formed from piezoresistors in the silicon dies.
(FR)La présente invention concerne un élément de dispositif capteur de pression différentielle de technologie microsystème électromécanique muni de deux puces de silicium fixées à des côtés opposés d'une entretoise de silicium ou de verre. L'entretoise est creuse. Si l'entretoise est réalisée en silicium, les puces sont de préférence fixées à l'entretoise creuse au moyen de liaison silicium-silicium fournie en partie par des couches d'oxyde de silicium. Si l'entretoise est réalisée en verre, les puces peuvent être fixées à l'entretoise creuse au moyen de liaison anodique. Des trous d'interconnexion conducteurs s'étendent à travers les couches et fournissent des connexions entre des circuits à pont de Wheatstone formés à partir de résistances piézo-électriques dans les puces de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)