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1. (WO2013051734) CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE, RÉSEAU DE CONVERTISSEURS PHOTOÉLECTRIQUES ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/051734    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/076557
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 05.10.2012
CIB :
H04N 5/3745 (2011.01), H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : National Institute of Advanced Industrial Science and Technology [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
RICOH COMPANY, LTD. [JP/JP]; 3-6, Nakamagome 1-chome, Ohta-ku, Tokyo 1438555 (JP) (Tous Sauf US).
HAYASHI, Yutaka [JP/JP]; (JP) (US only).
OTA, Toshitaka [JP/JP]; (JP) (US only).
NAGAMUNE, Yasushi [JP/JP]; (JP) (US only).
WATANABE, Hirofumi [JP/JP]; (JP) (US only).
NEGORO, Takaaki [JP/JP]; (JP) (US only).
KIMINO, Kazunari [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : HAYASHI, Yutaka; (JP).
OTA, Toshitaka; (JP).
NAGAMUNE, Yasushi; (JP).
WATANABE, Hirofumi; (JP).
NEGORO, Takaaki; (JP).
KIMINO, Kazunari; (JP)
Mandataire : NISHIWAKI, Tamio; Tokyo Tatemono Yaesu Bldg. 2F, 4-16, Yaesu 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030028 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-222020 06.10.2011 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERTER, PHOTOELECTRIC CONVERTER ARRAY AND IMAGING DEVICE
(FR) CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE, RÉSEAU DE CONVERTISSEURS PHOTOÉLECTRIQUES ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
Abrégé : front page image
(EN)A photoelectric converter includes a first pn junction comprised of at least two semiconductor regions of different conductivity types, and a first field-effect transistor including a first source connected with one of the semiconductor regions, a first drain, a first insulated gate and a same conductivity type channel as that of the one of the semiconductor regions. The first drain is supplied with a second potential at which the first pn junction becomes zero-biased or reverse-biased relative to a potential of the other of the semiconductor regions. When the first source turns to a first potential and the one of the semiconductor regions becomes zero-biased or reverse-biased relative to the other semiconductor regions, the first pn junction is controlled not to be biased by a deep forward voltage by supplying a first gate potential to the first insulated gate, even when either of the semiconductor regions is exposed to light.
(FR)La présente invention concerne un convertisseur photoélectrique comportant une première jonction p-n comprenant au moins deux régions de semi-conducteurs de différents types de conductivité, et un premier transistor à effet de champ comprenant une première source connectée à l'une des régions de semi-conducteurs, un premier drain, une première grille isolée et un canal de même type de conductivité que celui d'une des régions de semi-conducteurs. Le premier drain est alimenté par un second potentiel qui entraîne dans la première jonction p-n une polarisation nulle ou une polarisation inverse par rapport à un potentiel des autres régions de semi-conducteurs. Lorsque la première source est alimentée par un premier potentiel entraînant dans l'une des régions de semi-conducteurs une polarisation nulle ou une polarisation inverse par rapport aux autres régions de semi-conducteurs, la première jonction p-n est contrôlée pour ne pas être polarisée par une tension directe profonde par l'alimentation d'un premier potentiel à la première grille isolée, même lorsque l'une ou l'autre des régions de semi-conducteurs est exposée à la lumière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)