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1. (WO2013051730) DISPOSITIF DE GÉNÉRATION DE PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2013/051730 N° de la demande internationale : PCT/JP2012/076144
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 09.10.2012
CIB :
H05H 1/24 (2006.01) ,A61L 9/015 (2006.01) ,A61L 9/22 (2006.01) ,C01B 13/11 (2006.01) ,F25D 23/00 (2006.01) ,H05H 1/00 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.[KR/KR]; 129, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 443742, KR
Inventeurs : TAKENOSHITA, Kazutoshi; JP
Mandataire : NISHIMURA, Ryuhei; Manulife Place Kyoto Building, 3rd Floor, 280, Makieya-cho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6040857, JP
Données relatives à la priorité :
2011-22250107.10.2011JP
Titre (EN) PLASMA GENERATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE GÉNÉRATION DE PLASMA
(JA) プラズマ発生装置
Abrégé : front page image
(EN) The present invention provides a plasma generation device (100) that not only increases the generation amount of active species, but also improves safety and is hardly affected by humidity changes. The plasma generation device (100) comprises: a plasma electrode unit (2) configured so that fluid circulation holes (21b, 22b) are provided at positions corresponding to each other in a pair of electrodes (21, 22) and pass therethrough; a power supply circuit unit (51) for applying voltage between the pair of electrodes (21, 22); and a circuit control unit (52) for controlling the power supply circuit unit (51). The power supply circuit unit (51) has a transformer (511) for boosting an input voltage and outputting the boosted voltage and a switching element (512) provided in a primary winding (511a) of the transformer (511) and shaping a voltage waveform across the primary winding (511a) into a pulse waveform. The circuit control unit (52) inputs an on/off signal to the switching element (512) and thereby adjusts the peak value and pulse width of the output voltage across a secondary winding (511b) of the transformer (511).
(FR) La présente invention porte sur un dispositif de génération de plasma (100) qui non seulement augmente la quantité de génération d'espèces actives, mais en outre améliore la sécurité et n'est guère sensible à des variations d'humidité. Le dispositif de génération de plasma (100) comprend : une unité d'électrodes de plasma (2) configurée de telle manière que des trous de circulation de fluide (21b, 22b) sont placés à des positions qui se correspondent mutuellement dans une paire d'électrodes (21, 22) et passent à travers ; une unité de circuit d'alimentation électrique (51) pour appliquer une tension entre les deux électrodes (21, 22) ; et une unité de commande de circuit (52) pour commander l'unité de circuit d'alimentation électrique (51). L'unité de circuit d'alimentation électrique (51) comprend un transformateur (511) pour survolter une tension d'entrée et délivrer la tension survoltée et un élément de commutation (512) placé dans un enroulement primaire (511a) du transformateur (511) et mettant en forme une forme d'onde de tension aux bornes de l'enroulement primaire (511a) en une forme d'onde impulsionnelle. L'unité de commande de circuit (52) applique un signal de blocage/déblocage à l'élément de commutation (512) et ajuste ainsi la valeur de crête et la largeur d'impulsion de la tension de sortie aux bornes d'un enroulement secondaire (511b) du transformateur (511).
(JA)  本発明は、活性種の生成量を増やすだけでなく、安全性を向上させるとともに、湿度変化の影響を受け難くするものであり、一対の電極21、22の対応する箇所に流体流通孔21b、22bを設けてこれらが貫通するように構成されたプラズマ電極部2と、一対の電極21、22間に電圧を印加する電源回路部51と、電源回路部51を制御する回路制御部52とを備えるプラズマ発生装置100であって、電源回路部51が、入力電圧を昇圧して出力するトランス511と、トランス511の一次巻線511aに設けられて一次巻線511aの電圧波形をパルス波形とするスイッチング素子512とを有し、回路制御部52が、スイッチング素子512にオンオフ信号を入力することにより、トランス511の2次巻線511bの出力電圧のピーク値及びパルス幅を調節する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)