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1. (WO2013051644) FILM ISOLANT ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2013/051644    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/075774
Date de publication : 11.04.2013 Date de dépôt international : 04.10.2012
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP).
NISSIN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 47, Umezu Takase-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158686 (JP)
Inventeurs : MIYANAGA, Miki; (JP).
AWATA, Hideaki; (JP).
OKADA, Hiroshi; (JP).
KURISU, Kenichi; (JP).
ANDO, Yasunori; (JP).
TAKAHASHI, Eiji; (JP).
FUJIWARA, Masaki; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2011-222996 07.10.2011 JP
2012-009098 19.01.2012 JP
Titre (EN) INSULATING FILM AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) FILM ISOLANT ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 絶縁膜およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an insulating film containing silicon atoms, fluorine atoms, and nitrogen atoms, wherein the insulating film is furnished with a first silicon nitride film disposed on a substrate containing oxygen atoms, and a second silicon nitride film disposed in contact with the first silicon nitride film, the amount of fluorine contained in the second silicon nitride film being greater than the amount of fluorine contained in the first silicon nitride film. Also provided is a semiconductor element having an oxide semiconductor layer containing indium atoms and oxygen atoms, and an insulating film containing silicon atoms, fluorine atoms, and nitrogen atoms. The semiconductor element can be made into a thin-film transistor.
(FR)La présente invention a trait à un film isolant qui contient des atomes de silicium, des atomes de fluor et des atomes d'azote, lequel film isolant est doté d'un premier film de nitrure de silicium qui est disposé sur un substrat qui contient des atomes d'oxygène et d'un second film de nitrure de silicium qui est disposé de manière à être en contact avec le premier film de nitrure de silicium, la quantité de fluor contenu dans le second film de nitrure de silicium étant supérieure à la quantité de fluor contenu dans le premier film de nitrure de silicium. La présente invention a également trait à un élément semi-conducteur qui est doté d'une couche d'oxyde semi-conductrice contenant des atomes d'indium et des atomes d'oxygène, et d'un film isolant contenant des atomes de silicium, des atomes de fluor et des atomes d'azote. L'élément semi-conducteur peut être transformé en transistor à couches minces.
(JA) シリコン原子、フッ素原子および窒素原子を含む絶縁膜であって、酸素原子を含む基板上に配置された第1のシリコンナイトライド膜と、該第1のシリコンナイトライド膜に接して配置された第2のシリコンナイトライド膜と、を備え、該第2のシリコンナイトライド膜に含まれるフッ素量は、該第1のシリコンナイトライド膜に含まれるフッ素量よりも多い、絶縁膜が提供されるとともに、インジウム原子および酸素原子を含む酸化物半導体層と、シリコン原子、フッ素原子および窒素原子を含む絶縁膜と、を有する半導体素子が提供される。この半導体素子は薄膜トランジスタとすることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)